GaN Protect氮化镓研发进入快车道

GaN Protect氮化镓 将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。 GaN氮化镓是提高整个系统性能的关键，是创造出接近“理想开关”的电路构件，即一个能将最小能量的数字信号，转化为无损功率传输的电路构件。 无论是“全桥”还是“半桥”电路设计，氮化镓功率芯片都能够支持。 氮化镓功率芯片具备适用性极强的功率范围和功能，能覆盖移动快速充电器，数据中心、消费市场、可再生能源和电动车/电动交通工具等市场，从几十瓦，到上千瓦的各种应用，都能突显它的优势！ GaN Protect 音特团队正在研发新一代功率保护器件，嵌入模组和单独应用！ GaN Protect 理论优势： 体积更小：GaN Protect 器件，可实现比传统硅器件芯片 2.7~3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。 速度更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常容易使用。通过简单的“数字输入、电源输出”操作，布局和控制都很简单。 更加环保：由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成，氮化镓功率芯片制造时的二氧化碳排放量，比硅器件的充电器解决方案低10倍。 可靠：GaN Protect 器件 符合双碳政策，更低的内阻，它将会产生更少的热量，所以产生风险risk更低 什么是GaN Protect？ 它是音特研发团队注册的商标，将GaN材料用于保护器件！