三大通信运营商联合发布5G消息白皮书

中国电信、中国移动、中国联通 三大运营商发布5G白皮书! 终端及相关产业机会可期GSMA预计,未来5G终端都将支持5G消息业务,目前相关标准已完成指定工作。根据其研究,目前月活跃用户已经超过4亿。到2021年,RCS服务的总市场价值预计将达到740亿美元。实际上,三大运营商已展开多项有助于推动我国5G生态建设的合作:中国联通、中国电信开展5G网络共建共享合作。工业和信息化部近日许可中国电信、中国联通、中国广电共同使用5G系统室内频率,这有助于降低5G网络建设和运维成本,高效实现5G网络覆盖,快速形成5G服务能力。 音特电子大力布局5G产品应用和产品开发,在电容兼容行业助力行业发展!

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功率半导体行业专题报告:高端布局加码,国产替代加速

1.常见的功率半导体类型及区别? 功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,是实现电子装置中电压、频率、直流交流转 换等功能的核心部件。根据器件集成度不同,功率半导体可以分为功率 IC和功率分立器件两大类。 功率分立器件包括二极管、晶体管、晶闸管三大类别,其中晶体管是分立器件中市场份额最大的种 类。常见晶体管主要有 BJT、IGBT和 MOSFET。IGBT和 MOSFET是当前市场关注度较高的功率型晶体 管。功率 IC是将晶体管、二极管、电阻、电容等元件集成在一个半导体晶片上,具有所需电路功能 的微型结构。根据运用场景的不同,功率 IC包括 AC/DC、DC/DC、电源管理、驱动 IC等种类。 功率 IC、IGBT、MOSFET、二极管是四种运用最为广泛的功率半导体产品。根据 Yole数据,2017年功 率 IC 占全球功率半导体市场规模的 54%,是市场份额占比最大的功率半导体产品。MOSFET 主要运 用于不间断电源、开关电源,变频器音频设备等领域,2017 年 MOSFET 市场规模占功率半导体整体 市场规模的 17%;功率二极管主要用于电源、适配器、汽车、消费电子等领域,2017 年全球功率二 极管销售额占功率半导体整体销售额的比例约 15%。由于 IGBT的操作频率范围较广,能够覆盖较高 的功率范围,适用于轨道交通、光伏发电、汽车电子等领域,2017年 IGBT的销售占比达到 12%。 1、功率二极管 功率二极管是一种不可控型的功率器件,因此功率二极管不可以作为开关器件使用,功率二极管电 流容量大,阻断电压高,但是开关频率较低。功率二极管的单向导电性可用于电路的整流、箝位、 续流。外围电路中二极管主要起防反作用,防止电流反灌造成期间损坏。功率二极管细分产品包括功 率整流二极管、功率肖特基二极管、快速恢复二极管、超快速恢复二极管、小电流整流二极管、变 容二极管等种类。 普通整流功率二极管一般采用 p+pnn+的结构,反向恢复时间长一般在 25微秒;电流定额范围较大, 可以实现 1安培到数百安培的电流;电压范围宽,可以实现 5V-5000V的整流;但是普通整流功率二 极管高频特性一般,一般用于 1KHz以下的整流电路中。 快恢复功率二极管(FRD)采用 PN结构,采用扩散工艺,可以实现短时间的反向恢复,一般反向恢 复时间小于 5微秒,广泛的使用在变换器中。超快恢复功率二极管(UFRD)在快速恢复功率二极管 的基础上,采用外延工艺,实现超快速反向恢复。 肖特基功率二极管(SBD)不是利用 P型半导体和 N型半导体接触形成 PN接原理制作的,而是利用 金属和半导体接触形成的金属-半导体结原理制造的。肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等 优点,但是反向击穿电压比较低,一般低于 100V。因此肖特基二极管一般用于高频低电压领域。 2、MOSFET MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使 用在模拟电路和数字电路的场效应晶体管。MOSFET可以实现较大的导通电流,导通电流可以达到上 千安培,并且可以在较高频率下运行可以达到 MHz甚至几十 MHz,但是器件的耐压能力一般。因此 MOSFET可以广泛的运用于开关电源、镇流器、高频感应加热等领域。 为了满足电气化程度不断提升的社会需求,功率型 MOSFET性能不断被提升。MOSFET的改进主要围 绕着更高的工作频率、更高的输出功率。目前市场上功率型 MOSFET可以分为 Planar MOSFET 和 trench MOSFET两种类型。 早期的功率型 MOSFET也叫 LDMOS(later Double diffusion MOS),这种结构的 MOSFET可以实现大电流 传输,但是器件的栅、源、漏都在表面,因此器件的漏极和源极需要很长,十分浪费芯片面积。并 且由于 LDMOS的栅、源、漏都在同一个表面,在多个 MOSFET器件进行并联时需要额外的隔离层, 工艺步骤增加。因此后来发展了 VDMOS(vertcal DMOS),这就是早期的 planer VDMOS MOSFET,这 种结构将原来 LDMOS器件的漏极统一放到器件的另一侧,这样使得漏极和源极的漂移区长度可以通 过背面减薄来控制,而且该种结构可以实现更有利于晶体管并联。晶体管的并联可以增大 MOSFET 的功率。这种结构的的表面处理工艺和传统的 CMOS工艺兼容。 为克服 planer MOSFET中整体面积使用效率不高的问题,后来发展出 trench MOSFET器件结构。Trench MOSFET是将管子的沟道从原来的 planer变成沿着槽壁的纵向。这样的结构虽然提升了硅片面积使用 效率,但是工艺难度加大,成本较高,并且当槽较深是容易击穿,因此 trench MOSFET的耐压性价差。 但是该种结构可以实现较多的晶体管并联,可以导通的大电流,因此适合在低电压和大电流的工作 环境。 3、IGBT IGBT是由 BJT和 MOSFET组成的复合功率半导体器件,同时具备 MOSFET开关速度高、输入阻抗高、 控制功率低、驱动电路简单、开关损耗小的优点和 BJT 导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。IGBT在功率 MOSFET的基础上增加了一层,即在背面的漏极上增加一个 P+层。在引入 P+层之后,从 结构上漏端增加了一个 P+/N-driff的 PN结,该 PN结处于正偏状态,不仅不影响导通反而增加了空穴 注入效应,该 PN结带来的特性类似于 BJT有两种载流子参与导电。因此 IGBT具备 MOSFET的开关速 度高、输入阻抗高、控制功率低、驱动电路简单、开关损耗小等优点,同时具备 BJT 导通电压低、 通态电流大、损耗小等优点。IGBT 在高压、大电流、高速方面有突出的产品竞争力,已经成为功率 半导体主流发展方向。 从 1988年 IGBT诞生至今,已经有七代 IGBT结构。第一代 IGBT(PT-IGBT)产品结构简单,但是由于晶体结 构本身原因造成负温度系数,并联时各个IGBT原胞压降不一致,不利于并联运行,并且电流只有25A, 容量较小,因此没有普遍使用。第二代 IGBT也称为改进型 PT-IGBT是在 P+和 N-driff层时间加入 N-buffer 层,这一层形成的耗尽层可以减小芯片厚度、减小功耗,该种产品在 600V 以上具备优势,但是 1200V 以上时外延厚度较大导致成本较高,并且可靠性降低。西门子是改进型PT-IGBT产品的主流厂商。 第三代 IGBT也称为 Trench-IGBT,该种结构的思路和 trench MOSFET思路一样,将沟道转移到垂直面 上。该种结构导通电阻小,栅极密度增加不受限制,有效特高耐压能力。由于需要使用双注入技术, 制作难度较大。英飞凌的减薄技术处于世界先进水平,因此英在Trench IGBT时代英飞凌一举成为IGBT 行业巨头。 第四代为 NPT-IGBT,该种产品不再使用外延技术,而是使用离子注入技术生成 P+集电极(透明集电 极),该种结构可以精准控制结深进而控制发射效率,增快载流子抽取速度来降低关断损耗,同时 该种结构具备正温度系数,在稳态功耗和关断功耗取得较高的折中,该种产品结构被广泛的使用。 第五代FS-IGBT结合了第四代NPT-IGBT的“透明集电区技术”和“电场中止技术”。采用先进的薄片技 术并在薄片上形成电场中止层,有效的减薄芯片的厚度,是的导通压降和动态功耗都有明显下降。 第六代 FS-trench在第五代基础上改进沟槽结构,增加芯片电流导通能力,优化芯片内载流子浓度和 分布,减小芯片的综合损耗和提高 IGBT耐压能力。 2012 年三菱电机推出第七代 IGBT。IGBT7 采用了新型微沟槽(MPT)+电场场截止技术。它采用基于 n-掺杂的衬底的典型垂直 IGBT设计,p基区内的 n型重掺杂构成了发射极接触结构。通过在电隔离的 沟槽刻蚀接触孔,确定了沟道和栅极。在 n-衬底的底部,通过 p+掺杂实现了集电极区。在 n-衬底和 和 p+之间,通过 n+掺杂实现了场截止(FS)结构。IGBT7增加有源栅极密度,能够增加单位芯片面 积上的导电沟道,全面优化 IGBT性能。根据富士电机发布的第七代 IGBT产品数据,相比于第六代 V 系列,IGBT7 可以使逆变器的功率损耗降低 10%,最高操作结温度从 150℃提高到 175℃,这有助于 减小设备尺寸。 各类型功率器件由于结构不同,特性有所不同。MOSFET高频特性较好,工作频率可以达几十KHz到上 千 KHz,能够工作在高电流状态下,但耐压特性较差,在高功率领域应用受限。IGBT 耐压高,高功率 领域应用优势明显,高频特性弱于MOSFET。晶闸管高频特性较差,在高功率领域应用优势明显。 4、化合物半导体 影响功率半导体器产品性能的主要有两方面因素:一是器件结构,二是半导体材料。半导体材料的 禁带宽度、饱和电子漂移速度、击穿场强都会影响功率半导体性能。从半导体产业发展至今,半导 体产业主要经历了三代材料技术演变,第一代是以硅(Si)、锗(Ge)元素为主;第二代半导体材 料以砷化镓(GaAs)为主;第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为主。 第一代半导体材料,尤其硅基半导体材料工艺成熟、成本较低,是目前半导体材料的主流,目前大 部分功率半导体和集成电路都是基于硅基的第一代半导体材料。但是第一代半导体材料禁带宽度有 限,击穿电压低、饱和电子漂移速度低导致硅基半导体材料在面对高电压、高频、高功率运用场景 越显捉襟见肘。第二代半导体是以砷化镓(GaAs)为主,砷化镓的运用主要集中在通讯领域,目前 手机功率放大器是砷化镓的主要运用场景。砷化镓生产成本较高,物理性能低于第三代半导体材料, 因此在功率放大器中难以被使用。 第三代半导体材料氮化镓、碳化硅等材料在物理上具有能级禁带宽的特点,因此第三代半导体材料 也成为宽禁带半导体。同时,第三代半导体材料的导热性能、高压击穿、电子饱和漂移速度均明显 优于第一代、第二代功率半导体,因此第三代半导体在高温、高功率、高压、高频等运用场景有明 显的的优势。 氮化镓在高频电路中优势凸显,是当前移动通讯中有力竞争者。氮化镓半导体材料电子报和漂移速 度明显高于其他半导体材料。因此氮化镓通过高电子迁移率晶体管(HEMT:High Electron Mobility Transistor)率先在高频电路上取得运用。但是氮化镓在耐压性、电流容量都比碳化硅低,在高功率、 高电压运用场景性能低于碳化硅。因此当前氮化镓的主要运用场景主要集中于基站端功率放大器、 航空航天等军用领域。 碳化硅材料已在功率半导体市场崭露头角。碳化硅材料物理性能优于硅等材料,碳化硅单晶的禁带 宽度约为硅材料禁带宽度的 3倍,导热率为硅材料的 3.3倍,电子饱和迁移速度是硅的 2.5倍,击穿 场强是硅的 5 倍。相比于与硅材料,碳化硅在高温、高压、高频、大功率电子器件具有不可替代的 优势。目前碳化硅功率半导体已在特斯拉 model 3等高端车市场成功运用,未来汽车领域将是碳化硅 成长主要动力。碳化硅功率半导体的生产过程主要包括碳化硅单晶生产、外延层生产、器件制造三 大环节。目前英飞凌、意法半导体等国际主流厂商的 4 英寸碳化硅产品线居多,并向 6 英寸产品线 过度,龙头厂商 CREE已经开发出 8英寸产品。目前高质量的碳化硅外延片主要有 CREE供应。 汽车半导体是未来碳化硅功率器件的主要推动力。碳化硅在高温、高压、大功率领域具有不可替代 的优势,在电力控制和转换、高压等领域有着广泛的运用。一汽电驱动研究所所长赵慧超表示,碳 化硅器件工作结温在 200°C 以上,工作频率可以达到 100kHz,耐压可达 20KV,碳化硅器件体积可 以减小到 IGBT整机的 1/3~1/5,重量减小到原来的 40%~60%。目前碳化硅功率半导体已经在汽车主逆 变器、车载充电器、DC/DC 转换器等核心部件上成功运用,未来汽车将是碳化硅成长的主要动力。 特斯拉 Model3中已使用碳化硅的 MOSFET,随着 Model 3车型以及其他高端新能源车的量产,碳化硅 MOSFET需求有望迎来快速增长。根据 Yole统计数据,2017年全球碳化硅功率器件市场规模达到 3.02 亿美元,较 2016年的 2.48亿美元增长 22%,预计到 2023年全球碳化硅功率半导体生产规模达到 15 亿美元,复合增长率达 30.6%,远高于同期全球功率半导体市场规模增速。 碳化硅 MOSFET 的大规模运用尚需降低制造成本。当前碳化硅 MOSFET 为大规模运用于新能源车的 主要原因在于碳化硅 MOSFET成本高昂。根据 Yelo数据,CREE碳化硅 MOSFET成本达到**美元,同 等级别硅基 IGBT成本约为,英飞凌碳化硅的 MOSFET成本约,同等 IGBT成本约为,总体而言硅基 IGBT 的成本约为碳化硅 MOSFET的 25%。因此当前降低碳化硅 MOSFET生产成为成为产业研究重点方向。 氧化镓或是未来高压、高功率运用功率半导体材料的挑战者。氧化镓的禁带宽度为 4.9eV,超过碳化 硅、氮化镓等材料,采用禁带更宽的材料可以制成系统更薄、更轻、功率更高的功率器件。氧化镓 击穿场强高于碳化硅和氮化硅,目前 β-Ga2O3 的击穿场强可以达到 8MV/cm,是碳化硅的两倍。氧化 镓更有可能在扩展超宽禁带系统可用的功率和电压范围方面发挥作用。氧化镓最有希望的应用可能 是电力调节和配电系统中的高压整流器,如电动汽车和光伏太阳能系统。氧化镓的导热率低,散热 性能差是限制氧化镓市场运用的主要因素。氧化镓的热管理研究是当前各国研究的主要方向,如若 未来氧化镓的散热问题被攻克,氧化镓将是未来高功率、高压运用的功率半导体材料的有力竞争者。 2、功率半导体主要应用领域有哪些? 功率半导体下游运用广泛,包括工业控制、4C、新能源车、光伏等领域。功率半导体是电力电子技 术的基础,也是构成电力电子转换装置的核心器件,应用范围覆盖工业控制、4C 领域(Computer 计 算机产品、Communication 通讯产品、Consumerelectronics 数码家电、COM 网络产品)、新能源车、光 伏、智能电网等领域。根据 IHS数据,2018年,全球功率半导体市场规模达到 391亿美元,同比增长 5.9%,2021 年全球功率半导体市场规模有望达到 441 亿美元,复合增长率达到 4.1%;我国功率半导 体市场规模达到 138 亿美元,占据全球功率半导体市场的 31%,2021 年我国功率半导体市场规模有 望达到 159亿美元,年复合增长率达到 4.83%,超过全球功率半导体增长速度。 1、汽车电动化:功率半导体发展新动能 汽车电动化带动单车半导体价值量的提升。与传统燃油车相比,新能源车多了电池、电机、电机控 制器、DC/DC、空调驱动、充电器的装置。电动车的空调、充电系统、逆变器、DC/DC等核心部件都 需要功率器件实现供电电压和直流交流的转换。根据英飞凌预测,2019年轻度混合动力汽车(MHEV) 单车半导体元器件价值量约为 531 美元,而插电混合动力汽车(PHEV)、纯电动汽车(BEV)半导 体元器件价值量分别达到 785美元、775美元,较 MHEV分别提升 47.83%、45.95%。 MOSFET、IGBT等功率半导体器件是汽车电动化的受益核心。与传统动力汽车不同,新能源汽车需要 使用大量的电力设备,将实现能量的转换。新能源汽车中 AC/DC充电机变换器、DC/DC升压变换器、 DC/DC 降压变换器、双向 DC/AC 逆变器、充电桩等部件需要了大量的功率半导体实现能量的转换。 根据 on semiconductor 数据,电动车的价值量电源解决方案的价格约为 400美元,远高于传统动力汽 车的 40美元。MOSFET和 IGBT是实现供电电压和直流交流转换的核心部件,因此汽车电动化带动单 车功率半导体价值量。电机控制器是新能源车的核心部件之一,IGBT 是电机控制器的核心电力电子 元器件。根据驱动视界统计数据,电机控制系统成本占据整车成本的 15%~20%,而 IGBT模块占据电 机控制模块成本的 37%。1200V以下 IGBT和 MOSFET是电动车电源解决方案核心部件。 高端车型提升单车功率半导体的价值量。在高端车型中,特斯拉 model S使用了 84个 IGBT为三相感 应电机供电;model X 使用 132个 IGBT,其中后电机为 96个,前电机为 36个,整车 IGBT成本达到 650 美元。从 model 3开始,特斯拉开始使用碳化硅功率半导体替代传统硅基功率半导体,改善整车的续 航能力等性能实现高效变电。高端车型的单车功率半导体价值量不断提升,中低端车型有望跟进, 电动车平均单车功率半导体价值量有望进一步提升。 大众、福特、宝马等传统车企扩产新能源车,特斯拉、比亚迪等新兴电动车车企异军突起,汽车电 动化趋势不可逆转。在汽车电动化趋势下,各大传统车企纷纷布局新能源车,新能源车将成为传统 车企成长新动能。2019年 11月,大众集团发布 5年规划,预计 2020-2024年集团将在电动车领域投资 600亿欧元,2020、2025年电动车销量目标分别为 40、300万辆,占其汽车销量的占比为 4%、20%; 计划至2029年将生产2,600万辆电动车。福特计划到2020年实现新能源车销量占全球总销量10%-25%。 根据 IHS数据,2018年全球电动车销量达到 700万辆,预计 2023年将达到 3,300万辆,5年复合增长 率达到 41%。 汽车电动化除了带来车身功率半导体价值量的提升之外,新增的充电桩也将带来功率半导体增量。工信部、国家能源局联合发布《提升新能源汽车充电保障能力行动计划》提出利用三年时间优化充 电基础设施发展环境,千方百计实现“一车一桩”接电需求。新能源汽车的普及将大幅提高对充电 的需求。根据意法半导体数据,2020年美国/欧洲/中国新能源车充电需求分别为 60亿千万时、40 亿 千瓦时、80亿千瓦时,预计 2030年将分别达到 530亿千瓦时、790亿千瓦时、1,390亿千瓦时,复合 增长率分别达到 24%、34.76%、33.76%;2020年美国/欧洲/中国充电器数量分别为 200万个、100万个、 100万个,预计 2030年将达到 1,300万个、1,500万个、1,400万个符合增长率分别达到 20.58%、31.10%、 30.2%。根据工信部发布《电动汽车充电基础设施发展指南(2015-2020 年)》,到 2020 年将新建超 过 480万个分布式充电桩。 MOSFET、IGBT是充电桩实现电能转换的核心元器件。在充电桩中,同样需要 DC/DC等功率器件实现 供电电压和频率的转换。根据 ON semiconductor数据,充电站中的 MOSFET、IGBT、功率二极管等功 率半导体价值量将达到 500美元。 2、新能源发电带动高压功率半导体需求 IGBT模块是光伏发电逆变器和风力发电逆变器的核心零部件,新能源发电助力功率半导体持续增长 驱动力。太阳能、风能产生的电能不符合电网要求,光伏逆变器/风力发电逆变器可以将其整流成直 流电,然后在逆变成符合电网要求的交流电后输入并网。 IGBT是光伏逆变器和风电逆变器的核心零部件。光伏逆变器的功率组价主要是由 IGBT和功率二极管 组成,风力发电逆变器中的功率组件和光伏逆变器的功率组件类似。光伏逆变器和风电逆变器中的 IGBT主要是 1200V-1700V的 IGBT。 国内光伏需求强劲,我国经济基本面良好带动社会用电量攀升,新能源发电空间大。虽然近年来我 国经济发展速度有所放缓,GDP增速仍然保持在 6%以上,我国依然是全球经济增长的引擎。经济发 展带动社会用电量的攀升,根据国家统计局统计数据,2019年我国社会用电量达到 72,255亿千瓦时, 同比增长 5.61%。另一方面,我国供电结构尚需改善,光伏发电、太阳能发电比例提升空间大。从我 国电力供应结构上看,火力发电是我国供电的主力,根据国家统计局统计,2020 年 2 月火力发电占 比达到 76.04%,而太阳能发电和风力发电占比仅为 5.78%、1.75%。由于煤炭资源是不可再生,并且 火力发电会带来环境破坏等问题,因此我国能源结构改善空间较大,未来光伏发电和风力发电的渗 透率有望进一步提升。根据产业信息网数据,2020年我国风电装机容量有望达到 270GW,2025年我 国光伏累计装机容量有望达到 400GW。 3、家电变频需求 功率半导体是实现变频技术的核心半导体器件。变频技术是使用 IGBT、MOSFET、晶闸管等功率半导 体元器件对电能实现变换和控制,从而实现电压频率的变化。变频技术的运用主要集中于 家电、新 能源车、轨道交通等领域,其中变频家电是最重要的运用领域。相比于传统的白色家电,变频白色 家电更加高效节能,能够实现精准控制,实现舒适静音,能够实现多样化功能。根据英飞凌数据, 变频技术能够使得家电节约 60%的能效。 变频技术在白色家电的渗透率快速提升。近年来,变频家电全面推广,尤其是变频空调的推广。变 频空调因为低频启动、启动电流较小、能够快速制冷、节能等优点受到消费者青睐。根据产业在线 统计数据,变频家用空调出货量在家用空调中的占比从 2010年的 17%提升到 2018年上半年的 41%, 提升 24个百分点;变频洗衣机的渗透率从 2011年的 9%提升到 2018H1的 39%,提升 30个百分点;变 频冰箱的渗透率从 2011年的 4%提升到 2017年的 17%。 受益于变频白色家电的快速渗透,家电用功率半导体需求上升。家电的变频化、网络化发展带动 IGBT、 MOSFET、IPM等功率器件的快速发展。根据 IHS数据,2017年家电用功率半导体市场规模为 14.47亿 美元,2021年有望增长至 26.68亿美元,四年复合增长率达 16.5%。 4、5G 通讯拉动功率半导体需求 5G massive MIMO技术带动单站用功率半导体需求量。全球移动通信技术进入 5G时代,相比 4G通讯 技术,5G使用毫米波、massive MIMO等技术实现大带宽、低时延网络传输。2019年 6月,工信部向 三大运营商发放 5G牌照,三大运营商获得频谱在 2GHz以上,高于 4G的频谱,未来 5G频谱有望演 进到毫米波。信号频率越高带来的衰减问题越严重,对基站端发射功率构成了巨大的挑战。另一方 面,4G使用 MIMO技术一般不超过 4T4R,但在未来 5G种的 massive MIMO有望达到 64T64R甚至更高 阶数。Massive MIMO的大规模使用提升基站对电源管理的需求,根据英飞凌数据,4G MIMO射频板上 功率半导体的价值量约为 25美元,但 5G massive阶段的射频板功率半导体价值量将提升到 100美元, 是 MIMO射频板的 4倍。(数据来自行业分析报告,学习)

172020.03
新基建,5G网络建设大有可为?

3 月 17 日消息,GSMA 今天发布了《中国移动经济发展报告 2020》。报告中预测,到 2025 年,中国 5G 用户的渗透率将增至近 50%,与韩国、日本和美国等其他主要 5G 市场相当。预计 2020 至 2025 年间,中国运营商基于移动业务的资本支出将达到 1800 亿美元,其中大约 90% 将被用于 5G 网络建设。5G基站用到我们的产品:15KP58CA 15KP58A

172020.03
SPD相关标准List

已发布有关SPD标准(IEC/TC37A和TC64)IEC61643-1:1998/GB 18802.1-2002 低压配电系统的电涌保护器(SPD)第1部分:性能要求和试验方法IEC61643-12:2002/GB/T 18802.12-2006 低压配电系统的电涌保护器 第12部分:选择和使用导则IEC61643-21:2000/GB/T 18802.21-2004 低压电涌保护器 第21部分 电信和信号网络的电涌保护器——性能要求和试验方法IEC61643-22:2004/QX/T 10.3-2007 电涌保护器 第3部分:在电子系统信号网络中的选择和使用原则IEC60364-5-534:2002/GB 16895.22-2004 建筑物电气装置 第5-53-534:过电压保护电器IEC61643-311:2001/GB/T18802.311-2007 低压电涌保护器元件 第311部分:气体放电(GDT)规范IEC61643-321:2001/GB/T18802.321-2007 低压电涌保护器元件 第321部分:雪崩击穿二极管(ABD)规范IEC61643-331:2003/GB/T18802.331-2007 低压电涌保护器元件 第331部分:金属氧化物压敏电阻(MOV)规范IEC61643-341:2001/GB/T18802.341-2007 低压电涌保护器元件 第341部分:电涌抑制晶闸管(TSS)规范已发布有关防雷工程技术标准(TC81)IEC61312-1:1995/GB/T19271.1-2003 雷电电磁脉冲的防护 第1部分:通则 (被GB/T 21714替代)IEC61312-2:1999/GB/T19271.2-2005 雷电电磁脉冲的防护 第2部分:建筑物的屏蔽、内部等电位连接及接地(GB/T21714替代)IEC61312-3:2000/GB/T19271.3-2005 雷电电磁脉冲的防护 第3部分:对浪涌保护器的要求(被 GB/T21714替代)IEC61663-1:1999/GB/T19856.1-2005 雷电防护 通信线路 第1部分:光缆(被GB/T21714替代)IEC61663-2:2001/GB/T19856.2-2005 雷电防护 通信线路 第2部分:金属导线(被 GB/T21714替代)IEC62305-1:2006/GB/T21714.1-2008 雷电防护 第1部分:总则IEC62305-2:2006/GB/T21714.2-2008 雷电防护 第2部分:风险管理IEC62305-3:2006/GB/T21714.3-2008 雷电防护 第3部分:建筑物的物理损坏和生命 危险IEC62305-4:2006/GB/T21714.4-2008 雷电防护 第4部分:建筑物内电气和电子系统其他已出版的检测标准和修(制)订中标准GB/T21431-2008 建筑物防雷装置检测技术规范GB 50057-200× 雷击对人和家畜的效应GB×××××-200× 古建筑防雷技术规范GB×××××-200× 建筑物防雷工程施工与质量验收规范MH/T4020-2006 民用航空通信导航监视设施技术规范了解更多保护方案视频:点击

152020.03
陈肇雄主持召开加快5G发展专题会(工信部)

2020年3月6日,工业和信息化部召开加快5G发展专题会,深入学习贯彻习近平总书记关于推动5G网络加快发展的重要讲话精神,听取基础电信企业5G工作进展情况、存在的困难问题和意见建议,研究部署加快5G网络等新型基础设施建设,服务疫情防控和经济社会发展工作。工业和信息化部副部长陈肇雄出席会议,中国电信董事长柯瑞文、中国移动董事长杨杰、中国联通董事长王晓初、中国铁塔董事长佟吉禄、中国广电董事长宋起柱参加会议。陈肇雄充分肯定疫情防控期间基础电信企业在推进5G网络建设应用、加强通信服务保障和通信大数据支撑服务疫情防控、运用新一代信息通信技术助力复工复产和停课不停学等方面作出的贡献。 陈肇雄指出,5G作为支撑经济社会数字化、网络化、智能化转型的关键新型基础设施,不仅在助力疫情防控、复工复产等方面作用突出,同时,在稳投资、促消费、助升级、培植经济发展新动能等方面潜力巨大。要着眼当前疫情防控和经济社会发展形势的复杂性,充分认识加快5G发展的重要性、紧迫性,科学把握5G发展面临的新形势新要求,务实推动5G加快发展。一是加快网络建设,统筹抓好疫情防控和复工复产,认真落实分区分级精准防控要求,加快5G网络建设步伐。二是深化融合应用,丰富5G技术应用场景,发展基于5G的平台经济,带动5G终端设备等产业发展,培育新的经济增长点。三是壮大产业生态,加强产业链上下游企业协同发展,加快5G关键核心技术研发,扩大国际合作交流,持续提升5G安全保障水平。会前,陈肇雄一行调研了中国电信5G、大数据和信息化应用支撑疫情防控和复工复产情况。会议还研究了通信大数据支撑服务疫情防控、携号转网、网络安全等有关工作。 工业和信息化部办公厅、信息技术发展司、信息通信发展司、信息通信管理局、网络安全管理局、中国信息通信研究院负责同志参加。信息来源:工业信息化部5G涉及到音特产品:瞬态抑制二极管,ESD保护模块,自恢保险丝

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工信部约谈特斯拉因“减配门”被责令整改,SM8S33CA不能减

工信部就“减配门”事件约谈特斯拉,责令特斯拉(上海)有限公司按照《道路机动车辆生产企业及产品准入管理办法》有关规定立即整改。 3月2日,有部分特斯拉车主发现自己的国产Model 3使用了HW2.5芯片,而非环保信息随车清单上注明的HW3.0芯片。由于前者是更低一级的组件,因此在消费者角度看这是一个减配的行为,因此这些车主陆续地向特斯拉官方和315平台进行投诉,使得特斯拉掉入“减配门”之中。 3月5日,特斯拉CEO马斯克在推特上回应“减配门”称:“那些投诉的车主其实并没有订购FSD。或许他们不知道,如果在车辆交付后又订购了FSD,车载计算机也是可以免费升级的。”马斯克避重就轻的回应引起了不少消费者的不满,随着事件的发酵,工信部终于在10日发布了约谈公告,并责令整改。据小道消息称,在约谈消息发出后,有相关人士透露接下来订购国产Model 3的用户无论是否选装FSD,都将享有HW3.0硬件,对于目前将拿到HW2.5的用户,特斯拉将根据车主意愿,决定先交车再升级芯片还是取消订单。 电源接口的SM8S33CA 不能减!https://www.yint.com.cn/Product/Details?Id=201904041014338087654445fac1f18

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