瑞萨宣布59亿美元收购苹果供应商Dialog

据报道,日本瑞萨电子(Renesas Electronics)今日正式宣布,将收购苹果公司芯片供应商Dialog Semiconductor。两家公司在一份声明中称,瑞萨电子将以约49亿欧元(约合59亿美元)的现金收购Dialog Semiconductor,相当于每股67.50欧元。Dialog Semiconductor已同意该交易条款。该收购价格较Dialog Semiconductor上周五56.12欧元的收盘价溢价20%。年初至今,Dialog Semiconductor股价已上涨约25%,主要得益于苹果5G手机的强劲需求,以及出售公司消息的刺激。前日有报道称,Dialog Semiconductor正与包括瑞萨电子在内的潜在收购方进行谈判。知情人士当时称,除了瑞萨电子,Dialog Semiconductor还在与意法半导体谈判。从去年开始,全球半导体市场就出现了大规模整合,包括英伟达400亿美元收购英国芯片制造商ARM,AMD以350亿美元收购半导体制造商赛灵思,ADI公司以210亿美元收购Maxim,芯片供应商Marvell Technology以100亿美元收购半导体公司Inphi,SK海力士90亿美元收购英特尔内存部门。有数据显示,去年涉及半导体公司的交易额增加了一倍多,达到1440亿美元。当前,瑞萨电子市值约为205亿美元,是全球最大的汽车用半导体供应商之一,在英国和德国设有欧洲办事处。2019年,瑞萨电子完成了对美国Integrated Device Technology(IDT)的收购。这笔交易价值超过60亿美元,将帮助瑞萨电子向汽车行业以外的领域扩张。Dialog Semiconductor和瑞萨电子已经合作了十多年。Dialog Semiconductor专注于设计电源管理芯片,去年8月曾表示,将与瑞萨电子在汽车计算平台上进行合作。当前,全球半导体供应出现紧张局势,而Dialog Semiconductor和瑞萨电子也身涉其中。知情人士去年11月表示,苹果正在努力解决iPhone和其他设备电源管理芯片短缺的问题。而在汽车行业,半导体短缺正迫使汽车制造商停产,并使它们与芯片供应商的关系变得紧张。与Dialog Semiconductor一样,瑞萨电子也是苹果的供应商。据报道,苹果在2014年曾计划收购瑞力科技(Renesas SP Drivers,瑞萨持股55%),但后来被Synaptics收购。瑞力科技为iPhone屏幕提供LCD芯片。分析人士称,由于各国对半导体等战略行业的保护力度越来越大,这笔交易很可能遭到调查。当前,英伟达收购ARM交易正在接受英国监管部门的审查!(来自讯石信息)

202020.08
宁波鄞州区加速打造集成电路产业高地

《音特电子行业推送》: 今年新订单数量持续攀升,我们在鄞州区姜山镇的新建厂房正在赶工期,下半年正式投产后预计月产值可超3000万元。”近日,浙江宁波芯速联光电科技有限公司总经理杨明告诉记者,凭借在5G光通信领域的领先技术,行业内排名全球前十位的企业有一半都成了他们公司的合作伙伴。 离芯速联光电不远处,主要生产DFB芯片与WTL芯片的宁波元芯光电科技有限公司,也已进入产品测试的尾声阶段,预计今年底即可实现批量生产。两家公司生产的芯片应用于5G基站、数字化集成数据中心,且相互关联。元芯光电副总经理沈晁告诉记者,今年将按照计划继续强强联合,把两家公司的优势产品封装在一起,进行打包销售。 在宁波市鄞州区,强强联合的远不止两家企业。近年来,依托宁波微电子创新产业园、盛吉盛半导体、中芯国际创新设计服务中心等平台和龙头企业,鄞州以上下游供应链及横向协作链为突破口,不断完善上下游的发展生态,一批优质集成电路项目快速集聚,强力推动鄞州集成电路产业高质量发展。截至目前,该区已累计引进70余个集成电路产业相关项目,已逐渐形成集成电路后道封装装备产业、5G光通信产业、CPU国产化产业的生态体系。 借助强链补链,鄞州集成电路产业正驶入高质量发展的快车道。数据显示,今年上半年鄞州集成电路产业完成产值13亿元,产量增长9%。在集成电路产业的带动下,鄞州计算机通信和其他电子设备制造业6月份工业增加值增长44%,拉动当地工业增加值增速4.5个百分点。 “抢抓新一轮科技革命和产业变革机遇,我们将加快推动集成电路产业基础高级化、产业链现代化,变散为聚增强裂变效应,加快建设全球先进制造业基地先行区。”鄞州区有关负责人表示,鄞州不光要引进集成电路项目,更要建链、补链、强链,不断增强集成电路产业链的韧性、稳定性。 眼下,在位于云龙镇的宁波集成电路装备及模组产业基地,宁波盛吉盛装备项目正紧锣密鼓地推进,预计今年底即可部分完工,届时一批相关联的配套企业将与其携手,进一步做大做强;宁波微电子创新产业园已集聚中芯国际创新设计服务中心、轸谷科技、源创芯动、尚进自动化等一批集成电路设计企业与后道封装装备制造企业,预计今年产值将超过18亿元。 按照计划,鄞州将加速打造具有国际竞争力的特色工艺集成电路产业基地,力争2022年全区实现集成电路产业产值50亿元,2025年预计实现产值100亿元。来源:广电新闻音特电子专注TVS瞬态抑制二极管、ESD静电保护、PPTC自恢复保险丝研发与销售。

052020.08
新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策

国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》,在现有的政策基础上,首次推出十年免征所得税政策,支持28nm(含)及以下先进工艺生产企业发展。“新政策”的落地长期利好中国集成电路行业发展,加速半导体国产化进程。遍及全产业链的“两免三减半”政策,有望促进全产业链健康发展。而对重点设计及软件企业的加大扶植,有望帮助我国摆脱重点芯片以及EDA软件短板。

032020.08
《音特行业快报》晶振缺货涨价背后,国产替代进程加速

《音特电子行业快报》 温补、热敏及技术含量较高的晶振产品,或将进入新一轮涨价周期。距离上一次晶振涨价消息出现,仅过去三个多月。彼时,因上游原材料涨价的影响,部分晶振产品涨价10%-20%。在疫情影响之下,全球晶振龙头厂商一度停产,国内晶振市场的新增产能也减半,着力去库存。 而今,疫情仍在全球肆掠,国际大厂的供应体系还未完全恢复,特别是日系、美系等中高端晶振重地,部分中高端晶振产品的进口有所限制。在需求增长和库存尽耗的情况下,新的涨价需求也顺势而来。 部分产品缺货涨价 晶振作为被动电子元器件之一,长期以来以日本老牌厂商KDS、NDK等为主导,市占率超60%。其中,日系的32.768K贴片晶振,因使用量最大,长期处于缺货状态。 “目前,晶振涨价的产品系列主要是32.768K、温补晶振及技术含量较高的系列产品等。”扬兴科技总经理蔡钦洪向集微网表示。 究其原因,多方面因素也是环环相扣的。最主要的是全球疫情的影响,海外晶振大厂备受牵连,前期的停产加速整个市场的去库存节奏,而上述提及的晶振产品,在出口层面受限的压力下,供需不平衡使涨价时间节点和节奏提速。 与之相对的是,基于国内厂商在技术水平、生产工艺、自动化程度等层面的逐步提升,中低端通用型晶振产品的产能规模逐步扩大,尚能满足国内市场需求。“从整体上看,当前晶振产品的供需相对平衡,价格也趋向平稳,涨价只涉及部分型号。”蔡钦洪坦言。 在涨价状况之外,当前整个晶振市场的交期情况仍不太乐观。“目前处于分货的状态,交期相对一季度有所好转,但还是处于相对缺货状态。预计这种状况将在今年年底或明年上半年才有所缓解。”蔡钦洪补充道。 值得关注的是,随着5G、TWS耳机和Wi-Fi 6等市场需求逐步爆发,国内厂商在中低端的消费类、工业类或通讯类等领域,已经有越来越多的国产替代涌现。特别是5G应用背景下,将存在60%-70%的替代空间。 新需求下的国产替代加速 今年以来,TWS耳机正处于快速成长期,单品价格较高,行业利润率也较高,正在撬动近百亿的市场。在TWS耳机内,小体积小、高精密、低功耗的2520、2016等热敏晶振市场需求也趋于高涨。 此外,5G基站、汽车电子及物联网等高科技领域对2520两种尺寸的温补晶振和热敏晶体需求较高,该型号产品订单增长,逐步呈现量价齐升的态势。 据CS&A预测,2019全球频率元件产值为32-34亿美元,频率元件年销量190-210亿颗。而2020年5G带动新一轮换机需求,智能汽车渗透率逐步提升,且TWS耳机等新兴市场爆发式增长,综合导致石英晶振景气度回升。 “基于当前疫情的影响,加之国内市场在一些领域的需求大增,也给了国内晶振厂商一定的机遇,温补晶振和热敏晶振等国产替代空间增大,国内晶振厂商也在着力这两项技术,进一步缩小和日、台企业的差距。”某晶振厂商向集微网表示。 据集微网了解,国内晶振代表厂商中,惠伦晶体早在2016年引入热敏晶体产品线,产能达10KK/M;2018年其TCXO/VCTCXO产品通过MTK认证。在此基础上,今年4月,惠伦晶体的1612尺寸晶振产品通过炬芯科技产品认证许可,进一步奠定了在TWS耳机市场的实力。 同时,在TWS耳机领域,泰晶科技已打入恒玄及络达的产品方案,且定增募资超6亿元,用于“基于MEMS工艺的微型晶体谐振器产业化项目”、“温度补偿型晶体振荡器(TCXO)研发和产业化项目”等项目,扩大在温补晶振领域的竞争实力和强化其光刻工艺的技术。 除此之外,近年来,MEMS技术的有效应用为石英晶体的加工提供了技术借鉴和启发,也成为国内晶振厂商技术突围的关键方向,在缩小晶振体积,提升稳定性等领域具备优势,推进晶振产品向小型化、高精度等方向发展。目前,国内晶振厂商如泰晶科技、扬兴科技等在MEMS技术领域已逐步突破,产能逐步上量中。 来源:中国电子元件行业协会上海音特专业生产TVS瞬态二极管(SM8S33A)、ESD静电保护元器件等电路保护元器件

282020.07
新型有机LED突破数据速度

《音特电子》:行业推送 研究人员正在用一种新型有机LED来突破数据速度的界限。 近年来,对更快数据传输速度的日益增长的需求已经将研究者的注意力从带宽受限的无线电技术转移到光无线通信系统,它通过利用电磁频谱的紫外到红外区域提供“实际上”无限的带宽(>400 THz)。在这些系统中,可见光通信(VLC)之所以吸引人,是因为它有可能利用已经广泛用于从照明系统到移动电话和电视显示器这些商业应用中的发光设备。 在迄今为止报道的最快的VLC链路中,光发射器由发光二极管(LED)和激光二极管(LD)组成,这些二极管以无机半导体(通常是氮化镓)作为发射介质,具有高光输出功率和宽带宽。这些特性使无机LED和LD适合集成到能够同时提供白色照明和数据传输的两用照明设备中。但是,有机发光二极管(OLED)的使用是一种有效的替代,这对于VLC引起了极大的关注。人们对用于通信的OLED的兴趣不仅受到它们在显示技术中的广泛使用的推动,还受到有机电子技术成功的相同优势的驱动。重要的是,有机半导体可以通过热蒸发或旋涂、刮涂、喷墨、喷涂溶液廉价地大面积沉积。大面积OS(Organicsemiconductor)的照明设备已经进入市场,并且有望成为OLED(AMOLED)显示器之后OS(Organicsemiconductor)的下一个大规模应用。 可见光通信(VLC)是一种依靠光强度调制的无线技术,可能会改变物联网(IoT)连接。但是,非透明介质中可见光的低穿透深度阻碍了VLC。一种解决方案是将操作扩展到“近(不)可见”近红外(NIR,700-1000nm)区域,将光谱范围扩展到近红外(NIR,700–1000nm)不仅可以扩展VLC链路的带宽,而且还可为将其集成到许多利用NIR辐射的应用中铺平道路。近红外发射装置用于几个不同的领域,包括安全性、生物检测和光动力/光热治疗,后两者得益于该光谱窗口中生物组织的半透明性。在可穿戴或植入式生物传感器的情况下,NIR光子可用于监视人类生命体征并与其他设备进行无线通信。 科学家创造了新的远红/近红外溶液处理的OLED。通过将设备集成到实时VLC装置中,如下图1a所示,达到了超过1Mb/s的无错误传输速度通。成功地扩展了带宽,并为有机发光二极管实现了有史以来最快的数据速度。 新型OLED在《光科学与应用》杂志上进行了描述,为新型物联网(IoT)连接以及可穿戴和可植入生物传感器技术创造了机遇。 该项目是纽卡斯尔大学、伦敦大学学院、伦敦纳米技术中心、波兰科学院有机化学研究所(波兰华沙)和国家研究委员会纳米结构材料研究所(CNR-ISMN,Bologna,Italy)之间的合作。 从物联网应用的角度来看,该团队通过这一开创性设备实现的数据速率足以支持室内点对点链路。 研究人员强调了在没有计算复杂和功率要求高的均衡器的情况下实现这种数据速率的可能性。由于有机发光二极管的活性层中没有有毒的重金属,新的VLC装置有望集成便携式、可佩戴或可植入的有机生物传感器。来源:江苏激光联盟

242020.07
《音特电子推送》ALLOS与KAUST合力研发高效硅基InGaN红色Micro LED

《音特电子》为您推送 据报道,德国硅基氮化镓专家ALLOSSemiconductors宣布与沙特阿卜都拉国王科技大学(KAUST)研究团队达成合作,双方将共同研发高效硅基InGaN红色MicroLED。据了解,大晶格失配(latticemismatch)和量子限制斯塔克效应(quantum-confinedStarkeffect,QCSE)等问题限制了红色氮基LED在实际工业应用中的使用,而ALLOS与KAUST本次合作将致力于解决这些基本问题。图片来源:KAUST 值得注意的是,在MicroLED显示领域,除了蓝色和绿色LED之外,MicroLED显示还对在大尺寸晶圆上生长红色LED有强劲的需求,目的在于降低制造复杂性和成本。 据悉,KAUST团队此前通过采用局部应变补偿(LocalStrainCompensation)和改良后的MOCVD反应器设计,在开发正向电压(ForwardVoltage)低于2.5V且高效的InGaN基红色MicroLED方面获得了一些突破。他们已在蓝宝石衬底和Ga2O3(氧化镓)衬底上生长出红色LED。 为了采用晶圆级(尤其是大尺寸晶圆)工程应变技术来开发潜在高性能红色LED,KAUST团队与ALLOS共同将研究工作延伸到硅衬底上。凭借能够将晶圆片扩展到300mm以及在硅衬底产线上加工的能力,双方的合作将加快量产进程。对于MicroLED显示器,特别是用于AR设备的单片集成MicroLED显示器而言,这将是另一个重要的助攻。KAUST团队与ALLOS将充分利用各自的专业知识来处理应变问题,优化硅基氮化镓和红色LED的晶体生长条件,进而实现在硅基氮化镓缓冲层上生长红色LED堆栈(Stack)。 来源:LEDinside

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