瞬态抑制二极管TVS 选型指南
自恢复保险丝PPTC选型指南
热敏电阻NTC选型指南
静电保护器件ESD选型指南
气体放电管GDT选型指南
半导体放电管TSS选型指南
压敏电阻MOV选型指南
肖特基二极管SBR选型指南
整流二极管RD选型指南
保护器件选型参数解读 (视频)
产品应用概况汇总(Ver2019)
MOS管FET栅源保护
电子元器件失效(TVS篇)

瞬态抑制二极管TVS 选型指南


   《音特电子TVS选型指南》手册旨在介绍上海音特电子有限公司的 TVS瞬态抑制二极管产品,及TVS瞬态抑制二极管产品的技术数据与相应的应用方案,提升电路设计工程师使用 TVS瞬态抑制二极管保护器件的效率。

出于产品应用及电路设计过程的相关度考虑,电路设计工程师应当独立地评估器件型号是否适合电路的需要 ,并独立地进行测试 。

欢迎各位电路设计工程师与YINT技术工程师进行技术交流与探讨,共同促进,一起进步,提供更好的产品,造福人类。


音特电子TVS二极管产品系列有:

贴片类:SMF 200W/SMAJ 400W/SMBJ 600W/P6SMB 600W/P8SMB 800W/1.0SMB 1000W/SMCJ 1500W/SMDJ 3000W/5.0SMDJ-H Series 5000W/SM8 6600W
插件类:SA 500W/P6KE 600W/1.5KE 1500W/3KP 3000W/5KP 5000W/15KP 15000W


抗浪涌功率10/1000us功率从200W到15000W;

反向工作电压从3.3V到400V;

单向或双向TVS。



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自恢复保险丝PPTC选型指南

PPTC自恢复保险丝Polymeric Positive Temperature Coefficient

正温度系数器件,也就是自恢复保险丝,功能为电子电路或者电子设备提供过流保护。 

PTCs 的电阻随着温度的升高而升高,利用这个特性,当安全电流通过时,阻值变化很小,当有异常的电流时, 阻值剧烈变化,达到限制异常电流的目的。 当异常排除,温度回到安全水平时, 阻值自动“重置“。


音特电子提供的正温度系数聚合物(PPTC)作为一种过流保护器件,可以减少保修,维护和维修成本。 是异常过电流频繁区域设备或者高可靠性设备的理想选择。 常被应用在消费电子,电源线,电信, I/O 口,过程控制和医疗设备。 

音特电子提供贴片PPTC系列有:SMD0603/SMD0805/SMD1206/SMD1210/SMD1812/SMD2018/SMD2920

以及插件PPTC系列:6V /16V/30V/60V/72V/250V/600VSeries


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热敏电阻NTC选型指南

NTC(Negative Temperature Coefficient)

MF72 功率型热敏电阻可以抑制敏感设备的浪涌电流。

在电源端串接一个 NTC 热敏电阻可以抑制开机浪涌电流,而当电路正常工作后, NTC 的电阻将会降到很低的水平,功耗可以忽略不计,不会影响正常工作的电流。

使用 MF72 系列的 NTC 是抑制浪涌电流保护敏感设备的高性价的方案。

音特电子 MF72NTC 热敏电阻符合 CQC UL CUL 认证。



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静电保护器件ESD选型指南

ESD Electrostatic Discharge devices)

静电保护模块可保护电子设备免受雷击和静电放电( ESD)等快速瞬态电压的破坏,为输入/输出接口和数字与模拟信号线提供了理想的保护方案。

音特电子(YINT)的ESD器件

按封装分类,包括: SOD323, SOD523, SOD882, SOD923,SOT23, SOT553, SOT563, SOT353, SOT363, SOT143, SOT23-6L,SOP-8, DFN 等 ;


按工作电压分类有:3.3V,5V,8V,12V,15V,24V,36V等;

根据信号传输频率对电容的要求,可分为标准电容(>100pF),低容LC(5-100pF),超低容ULC(<5pF)等;

按极性可分为单向,双向;

按保护线路分为单线、双线、四线保护等。






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气体放电管GDT选型指南

气体放电管GDT(Gas Discharge Tubes)

GDT通过气体电离放电的原理来消除浪涌电压,他们具有高绝缘阻抗,低电容,和低漏电流的特点,因此对设备的正常运行影响很小。

音特电子(YINT 可提供高性能的小封装的插件/贴片的气体放电管,具有很快的响应速度,大浪涌抑制能力,从而降低设备损坏的风险。因为 GDT 的浪涌吸收能力,是雷击浪涌防护的一个很好的选择,特别适用于室外的电信设备。


音特电子提供气体放电管GDT有:

贴片:SMD1206、SMD1812、2RxxxS-6×4.2、2RxxxS-8x6、3RxxxS-5x7.6、3RxxxS-6x8

插件:2RxxxL-5.5x6、2RxxxL-8×6、3RxxxL-5x7.6、3RxxxL-6x8、3RxxxL-8x10

其中:2R为两脚GDT,3R为三脚GDT;

5.5x6、8×6等表示尺寸



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半导体放电管TSS选型指南

半导体放电管TSS (Thyristor Surge Suppressors) 

是一种PNPN型的器件,可以看作一个没有门极的晶闸管。当一个浪涌电压超过TSS的关断电压时(VDRM),TSS将电压限制在转折电压以下,这时,当通过TSS的电流超过开关电流,TSS将处于短路的状态。

当通过TSS的电流低于去维持电流IH,TSS将重置恢复到高阻抗状态。


TSS主要应用于电信行业和数据通信的过压保护。

音特电子TSS产品系列主要有TA,S,E,L系列;

封装类型有:SMA/DO-214AC,SMB/DO-214AA,TO-92,DO-15,DO-27等;


音特电子TSS应用案例(部分):






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压敏电阻MOV选型指南

压敏电阻 MOV(Metal Oxide Varistors)

压敏电阻的本体是由氧化锌颗粒组成的矩阵结构,颗粒之间的晶界类似双向PN结的电气特性。

当低电压时,这些晶界处于高阻抗状态,当电压高时,又会处于击穿状态,是一种非线性器件。 


压敏电阻MOV的主要特性有:
1、高浪涌吸收能力
2、电压范围18V到1800V
3、耐浪涌电流可达70KA 


音特电子压敏电阻MOV产品

按尺寸分为5D,7D,10D,14D,20D,25D,32D,34S以及其他定制等类型;

压敏电阻25D压敏电阻34S

5D Series

5D180L,5D220K,5D270K,5D330K,5D390K,5D470K,5D560K,5D680K,5D820K,5D101K,5D121K,5D151K,5D181K,5D201K,5D221K,5D241K,5D271K,5D301K,5D331K,5D361K,5D391K,5D431K,5D471K,5D511K,5D561K,5D621K,5D681K,

7D Series

7D180L,7D220K,7D270K,7D330K,7D390K,7D470K,7D560K,7D680K,7D820K,7D101K,7D121K,7D151K,7D181K,7D201K,7D221K,7D241K,7D271K,7D301K,7D331K,7D361K,7D391K,7D431K,7D471K,7D511K,7D561K,7D621K,7D681K,7D751K,7D781K,7D821K,

10D Series

10D180K,10D220K,10D270K,10D330K,10D390K,10D470K,10D560K,10D680K,10D820K,10D101K,10D121K,10D151K,10D181K,10D201K,10D221K,10D241K,10D271K,10D301K,10D331K,10D361K,10D391K,10D431K,10D471K,10D511K,10D561K,10D621K,10D681K,10D751K,10D781K,10D821K,10D911K,10D951K,10D102K,10D112K,10D182K,

14D Series

14D180L,14D220K,14D270K,14D330K,14D390K,14D470K,14D560K,14D680K,14D820K,14D101K,14D121K,14D151K,14D181K,14D201K,14D221K,14D241K,14D271K,14D301K,14D331K,14D361K,14D391K,14D431K,14D471K,14D511K,14D561K,14D621K,14D681K,14D751K,14D781K,14D821K,14D911K,14D951K,14D102K,14D112K,14D182K,

20D Series

20D180L,20D220K,20D270K,20D330K,20D390K,20D470K,20D560K,20D680K,20D820K,20D101K,20D121K,20D151K,20D181K,20D201K,20D221K,20D241K,20D271K,20D301K,20D331K,20D361K,20D391K,20D431K,20D471K,20D511K,20D561K,20D621K,20D681K,20D751K,20D781K,20D821K,20D911K,20D951K,20D102K,20D112K,20D122K,20D152K,20D182K,

25D Series

25D201K,25D221K,25D241K,25D271K,25D301K,25D331K,25D361K,25D391K,25D431K,25D471K,25D511K,25D561K,25D621K,25D681K,25D751K,25D781K,25D821K,25D911K,25D951K,25D102K,25D122K,25D142K,25D162K,25D182K,

32D Series

32D201K,32D221K,32D241K,32D271K,32D301K,32D331K,32D361K,32D391K,32D431K,32D471K,32D511K,32D561K,32D621K,32D681K,32D751K,32D781K,32D821K,32D911K,32D951K,32D102K,32D122K,32D142K,32D162K,32D182K,

34S Series

34S201K,34S221K,34S241K,34S271K,34S301K,34S331K,34S361K,34S391K,34S431K,34S471K,34S511K,34S561K,34S621K,34S681K,34S751K,34S781K,34S821K,34S911K,34S951K,34S102K,34S122K,34S142K,34S162K,34S182K



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产品中心:www.yint.com.cn/Product/Index

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肖特基二极管SBR选型指南

肖特基二极管 SBR (Schottky Barrier Rectifiers)


肖特基二极管是利用金属半导体接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
典型应用于AC-DC和DC-DC转换器,电池极性保护,多种电压“ORing”和其他小尺寸系统。


SBR经常用作低压,高频整流器或者整流桥,极性保护二极管。


音特电子肖特基二极管SBR

按电流分为:1A,2A,3A,5A等;

按封装类型有:SMA、SMB、SMC、SOT23等。


音特肖特基二极管型号主要有:

SMA(1A):SS12,SS13,SS14,SS15,SS16,SS18,SS19,SS110,SS115,SS120,

SMA/SMB (2A):SS22,SS23,SS24,SS25,SS26,SS28,SS29,SS210,SS215,SS220,
SMA/SMB(3A):SS32,SS33,SS34,SS35,SS36,SS38,SS39,SS310,SS315,SS320,
SMC(3A):SK32,SK33,SK34,SK35,SK36,SK38,SK39,SK310,SK315,SK320,
SMC(5A):SK52,SK53,SK54,SK55,SK56,SK58,SK59,SK510,SK515,SK520,
SOT23:BTA54,BAT54A,BAT54C,BAT54S,




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整流二极管RD选型指南

整流二极管 (Rectifier Diode)

整流二极管是利用PN结的单向导电特性,把交流电变成脉动直流电的半导体器件。

选用整流二极管时,主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。

根据芯片工艺不同,反向恢复时间也不同,通常分为四大类:


1、普通整流二极管Standard Rectifier Diode ,反向恢复时间大于 500ns(纳秒);
2、快恢复整流二极管Fast Recovery Rectifier Diode ,反向恢复时间 150-500ns(纳秒);
3、高效率整流二极管High Efficiency Rectifier Diode ,反向恢复时间 50-100ns(纳秒);
4、超快速整流二极管Super Fast Recovery Rectifier Diode ,反向恢复时间 15-35ns(纳秒) 。


音特电子可以提供的整流二极管

按封装分类有:SOD-123FL、SMAF、SMA、SMBF、SMB、SMC等;

按电流Io分为:1A,2A,3A,5A等;

按反向电压VR有:50V,100V,200V,400V,600V,1000V等类型。


普通整流二极管 GRD(General Purpose Rectifiers Diodes)

1N4001W,1N4002W,1N4003W,1N4004W,1N4005W,1N4006W,1N4007W、

S1AF,S1BF,S1DF,S1GF,S1JF,S1KF,S1MF、

S2AF,S2BF,S2DF,S2GF,S2JF,S2KF,S2MF、

S3AF,S3BF,S3DF,S3GF,S3JF,S3KF,S3MF、

S2ABF,S2BBF,S2DBF,S2GBF,S2JBF,S2KBF,S2MBF、

S3ABF,S3BBF,S3DBF,S3GBF,S3JBF,S3KBF,S3MBF、

S5ABF,S5BBF,S5DBF,S5GBF,S5JBF,S5KBF,S5MBF、

S1A,S1B,S1D,S1G,S1J,S1K,S1M、

S2A,S2B,S2D,S2G,S2J,S2K,S2M、

S2AB,S2BB,S2DB,S2GB,S2JB,S2KB,S2MB、

S3AB,S3BB,S3DB,S3GB,S3JB,S3KB,S3MB、

S3AC,S3BC,S3DC,S3GC,S3JC,S3KC,S3MC、

S5AC,S5BC,S5DC,S5GC,S5JC,S5KC,S5MC;

快恢复二极管,FR(Fast Recovery Rectifier Diodes)

FR101W,FR102W,FR103W,FR104W,FR105W,FR106W,FR107W,

RS1AF,RS1BF,RS1DF,RS1GF,RS1JF,RS1KF,RS1MF,

RS2AF,RS2BF,RS2DF,RS2GF,RS2JF,RS2KF,RS2MF,

RS3AF,RS3BF,RS3DF,RS3GF,RS3JF,RS3KF,RS3MF,

RS2ABF,RS2BBF,RS2DBF,RS2GBF,RS2JBF,RS2KBF,RS2MBF,

RS3ABF,RS3BBF,RS3DBF,RS3GBF,RS3JBF,RS3KBF,RS3MBF,

RS5ABF,RS5BBF,RS5DBF,RS5GBF,RS5JBF,RS5KBF,RS5MBF,

RS1A,RS1B,RS1D,RS1G,RS1J,RS1K,RS1M,

RS2A,RS2B,RS2D,RS2G,RS2J,RS2K,RS2M,

RS2AB,RS2BB,RS2DB,RS2GB,RS2JB,RS2KB,RS2MB,

RS3AB,RS3BB,RS3DB,RS3GB,RS3JB,RS3KB,RS3MB,

RS3AC,RS3BC,RS3DC,RS3GC,RS3JC,RS3KC,RS3MC,


RS5AC,RS5BC,RS5DC,RS5GC,RS5JC,RS5KC,RS5MC,

高效整流二极管,HERD(High Efficiency Rectifier Diodes)
US1AW,US1BW,US1DW,US1GW,US1JW,US1KW,US1MW,
US5AC,US5BC,US5DC,US5GC,US5JC,US5KC,US5MC,


US1AF,US1BF,US1DF,US1GF,US1JF,US1KF,US1MF,

US2AF,US2BF,US2DF,US2GF,US2JF,US2KF,US2MF,

US3AF,US3BF,US3DF,US3GF,US3JF,US3KF,US3MF,

US2ABF,US2BBF,US2DBF,US2GBF,US2JBF,US2KBF,US2MBF,

US3ABF,US3BBF,US3DBF,US3GBF,US3JBF,US3KBF,US3MBF,

US5ABF,US5BBF,US5DBF,US5GBF,US5JBF,US5KBF,US5MBF,

US1A,US1B,US1D,US1G,US1J,US1K,US1M,

US2A,US2B,US2D,US2G,US2J,US2K,US2M,

US2AB,US2BB,US2DB,US2GB,US2JB,US2KB,US2MB,

US3AB,US3BB,US3DB,US3GB,US3JB,US3KB,US3MB,

US3AC,US3BC,US3DC,US3GC,US3JC,US3KC,US3MC,

超快恢复二极管UFR(Ultra Fast Recovery Rectifier Diodes)
ES1AW,ES1BW,ES1DW,ES1GW,ES1JW,
ES1AF,ES1BF,ES1DF,ES1GF,ES1JF,
ES2AF,ES2BF,ES2DF,ES2GF,ES2JF,
ES3AF,ES3BF,ES3DF,ES3GF,ES3JF,
ES2ABF,ES2BBF,ES2DBF,ES2GBF,ES2JBF,
ES3ABF,ES3BBF,ES3DBF,ES3GBF,ES3JBF,
ES1A,ES1B,ES1D,ES1G,ES1J,
ES2A,ES2B,ES2D,ES2G,ES2J,
ES2AB,ES2BB,ES2DB,ES2GB,ES2JB,
ES3AB,ES3BB,ES3DB,ES3GB,ES3JB,
ES3AC,ES3BC,ES3DC,ES3GC,ES3JC,
ES5AC,ES5BC,ES5DC,ES5GC,ES5JC,



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保护器件选型参数解读 (视频)

上海音特电子有限公司简介

http://www.iqiyi.com/w_19ryuofap1.html

PPTC参数介绍与选型

http://www.iqiyi.com/w_19ryvc953d.html#vfrm=16-1-1-1

半导体放电管参数介绍与选型

http://www.iqiyi.com/w_19ryvc9ac1.html#vfrm=16-1-1-1

ESD参数介绍与应用选型

http://www.iqiyi.com/w_19ryvdi6b1.html#vfrm=16-1-1-1

汽车级TVS参数解读与应用选型

http://www.iqiyi.com/w_19ryvehdel.html#vfrm=16-1-1-1

TVS参数详细解读与应用

http://www.iqiyi.com/w_19ryvdi4pp.html#vfrm=16-1-1-1

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产品应用概况汇总(Ver2019)

Application of  Yint products ,Welcom to download.

1. CONSUMER ELECTRONICS 
2. INDUSTRIAL & INSTRUMENTATION
3. MEDICAL DEVICES
4. MILITARY & AEROSPACE
5. NETWORKING & COMMUNICATIONS
6. COMPUTING
7. AUTOMOTIVE

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MOS管FET栅源保护

     功率 MOS 管自身拥有众多优点,但是MOS 管具有较脆弱的承受短时过载能力,特别是在高频的应用场合,所以在应用功率 MOS 管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。

 功率 MOS 管保护电路主要有以下几个方面:


1)防止栅极 di/dt 过高

 

由于采用驱动芯片,其输出阻抗较低,直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断,有可能造成功率管漏源极间的电压震荡,或者有可能造成功率管遭受过高的 di/dt 而引起误导通。为避免上述现象的发生,通常在 MOS 驱动器的输出与 MOS 管的栅极之间串联一个电阻,电阻的大小一般选取几十欧姆。

 

2)防止栅源极间过电压

 

由于栅极与源极的阻抗很高,漏极与源极间的电压突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的栅源尖峰电压,此电压会使很薄的栅源氧化层击穿,同时栅极很容易积累电荷也会使栅源氧化层击穿,所以要在 MOS 管栅极并联稳压管以限制栅极电压在稳压管稳压值以下,保护 MOS 管不被击穿,MOS 管栅极并联电阻是为了释放栅极电荷,不让电荷积累。

 

3)防护漏源极之间过电压

 

虽然漏源击穿电压 VDS 一般都很大,但如果漏源极不加保护电路,同样有可能因为器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压,进而损坏 MOS 管,功率管开关速度越快,产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏,通常采用齐纳二极管钳位和 RC 缓冲电路等保护措施。

 

当电流过大或者发生短路时,功率 MOS 管漏极与源极之间的电流会迅速增加并超过额定值,必须在过流极限值所规定的时间内关断功率 MOS 管,否则器件将被烧坏,因此在主回路增加电流采样保护电路,当电流到达一定值,通过保护电路关闭驱动电路来保护 MOS 管。

 下图是 MOS 管的保护电路,由此可以清楚的看出保护电路的功能。


关注公众号:音特电子,轻松了解。

关键词:MOS管FET栅源保护、MOS管。

音特:www.yint.com.cn

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电子元器件失效(TVS篇)

在电子电路中如今常用的保护器件有:稳压二极管、瞬态电压抑制TVS管、ESD放电二极管、半导体放电管等先进的新型电子元器件。保护元器件,主要保护电子电路中的精密器件免受过压、过流、浪涌、电磁等干扰情况下不受破坏,任何领域都要运用到他们,使用范围极其广泛。

其中TVS管是一种常见的浪涌抑制器件,它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压精准,钳位电压容易控制等多个优点。其工作原理为,当高能量冲击时,TVS能在很快的时间(10-12S)内由高阻抗变成低阻抗,从而吸收刹那间的大电流,然后把它俩端电压钳位在预定的值,起到保护后级电路的作用。根据其原理,TVS可用于维护设备或电路免受静电、电理性负载切换时产生的瞬变电压、及感应雷产生的过电压。

   

单向TVS管特性曲线                      抑制原理图

TVS管的通流容量在限压型浪涌保护器中是最小的,一般用于末级的保护。如用于电源的防雷电路中时,一般还需要与压敏电阻或气体放电管等通流容量的器件配合使用。

TVS失效模式

1:当瞬态脉冲能量大于TVS所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损伤,特别是当瞬态能量远远超出TVS所能承受的数倍时会直接导致TVS过电应力烧毁。失效模式为短路

2:当电路中通过的电流太大,可能会造成TVS炸裂,失效模式为开路。这种情况通常为设计时考虑不周全,TVS通流量过小造成的。

3:电性能退化 TVS经过成千上万次的标准脉冲冲击后失效,失效模式为短路。这种模式因长时间工作结温持续增大导致(器件内部结构变化、散热能力下降)过热烧毁。

结论

TVS实际使用中,TVS短路失效可能是各种因素综合作用的结果。音特电子建议:首先做到TVS的正确选型与安装,最好对TVS进行降额使用,这样可使TVS承受的功率较小,使用可靠性大大增加。此外,为使TVS发生短路失效时对被保护电子设备的影响降到最低,通常可在TVS前串接一条与之匹配的保险丝/自恢复保险丝PPTC

如有疑问请咨询音特电子

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