P MOS-音特电子

产品选型

产品筛选

EMS保护器件

TVS 瞬态抑制二极管 ESD 静电保护元件 PPTC 自恢复保险丝 TSS 半导体放电管 GDT 气体放电管 SBR 肖特基二极管 MOV 压敏电阻 NTC 热敏电阻

EMI抑制器件

信号共模滤波电感电源共模滤波电感功率电感磁珠

PowerDevices功率器件

碳化硅（SiC）产品 MOSFET RD 整流二极管 ZD 齐纳二极管

SPD防雷模组

电源防雷器 PSPD 信号防雷器 SSPD 监控防雷器 PSSPD Signal 信号保护防雷模组

Cross Reference 竞品对照

ESD系列 TVS系列 ZNO 压敏电阻 GDT 气体放电管 PPTC 自恢复保险丝

首页产品选型 PowerDevices功率器件 MOSFET

P MOS

功能介绍

采用先进的工艺制造技术、超优化芯片结构、更优的工艺条件

低产品导通电阻

稳定可靠的开关特性

小型化的封装形式：DFN5*6、DFN3.3*3.3、DFN2*2

多样化的直件封装形式：TO-247、TOLL、TO-263、TO-220、TO-252、TO-251等等

专业、专注细分市场的产品特性研究、开发符合行业特色的产品

产品规格

相关产品

OLL MOSFET系列采用先进的晶体管外形无引线封装（TOLL），显著提升功率密度与电气性能。其紧凑设计（9.90×11.68 mm²，高度2.3 mm）较传统TO-263减少30% PCB占板面积及60%体积，适配高密度电源设计36。全系列具备超低导通电阻（最低0.77 mΩ）与寄生电感（2 nH），支持300A以上持续电流，大幅降低开关损耗并优化EMI表现46。镀锡焊盘与开尔文源极结构增强散热能力（热阻低至0.35 K/W），支持175°C高温运行及自动光学检测（AOI），符合AEC-Q101车规认证1710。适用于电动汽车DC-DC转换、储能系统、服务器电源及图腾柱PFC等高可靠性场景，助力能效提升至97%以上

N沟道MOSFET系列采用先进沟槽工艺与超结技术，实现业界领先的低导通电阻（低至0.59mΩ@10V）与优值系数（FOM）610，显著降低开关损耗（Qgd×RDS(on)优化46%）及导通损耗，提升电源转换效率。产品支持4.5V逻辑电平驱动，兼容3.3V/5V MCU控制，适用于高频开关场景69。全系提供-55℃至175℃宽工作结温范围，通过AEC-Q101可靠性认证，具备高雪崩能量（单脉冲325mJ）及低栅极电荷（典型值9.1nC）特性6710。封装涵盖SOP Advance(N)、TO-252-2L、PQFN 3.3×3.3等紧凑设计，满足服务器电源、通信设备、蓝牙耳机音频管理、快充模块及工业电源的高功率密度与高可靠性需求

军工级MOSFET MOS系列产品，严格遵循MIL-PRF-19500及JAN认证标准，专为极端环境设计。全系列采用密封TO-205AD（TO-39）、陶瓷LCC等封装，支持-55℃至+175℃宽温工作范围，耐受325℃峰值加工温度，确保航空航天、卫星电源及军用装备的高可靠性需求158。器件具备抗辐射性能（TID 100krad~300krad，LET 87 MeV·cm²/mg），有效抵御空间粒子干扰36。特性包括：1200V/60V高压支持、40mΩ~5Ω超低导通电阻、8ns高速开关，适配DC-DC转换、电机驱动及固态继电器应用510。提供双向瞬态电压抑制，集成体二极管保护，显著提升系统稳定性与寿命