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N MOS

功能介绍

先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、优化设计结构

低产品导通电阻、优化开关特性

高可靠性、全方位评估体系保证产品质量

电机驱动、电池管理系统、负载开关、通信等工业或超工业级应用场景

多样化的贴片封装形式：DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-223、SOT-89、

多样化的插件封装形式：TO-247、TOLL、TO-263、TO-220、TO-252、TO-251、SOP-8、

专业、专注细分市场的产品特性研究、开发符合行业特色的产品

产品规格

相关产品

OLL MOSFET系列采用先进的晶体管外形无引线封装（TOLL），显著提升功率密度与电气性能。其紧凑设计（9.90×11.68 mm²，高度2.3 mm）较传统TO-263减少30% PCB占板面积及60%体积，适配高密度电源设计36。全系列具备超低导通电阻（最低0.77 mΩ）与寄生电感（2 nH），支持300A以上持续电流，大幅降低开关损耗并优化EMI表现46。镀锡焊盘与开尔文源极结构增强散热能力（热阻低至0.35 K/W），支持175°C高温运行及自动光学检测（AOI），符合AEC-Q101车规认证1710。适用于电动汽车DC-DC转换、储能系统、服务器电源及图腾柱PFC等高可靠性场景，助力能效提升至97%以上

P沟道MOSFET系列提供高性能功率管理解决方案，覆盖-20V至-150V宽电压范围，满足工业、汽车及消费电子严苛需求689。产品采用先进沟槽技术，实现超低导通电阻（最低1.8mΩ@VGS=-10V），显著降低导通损耗并提升系统能效46。支持-3A至-85A宽电流范围及高脉冲电流能力（-240A），确保高负载场景下的稳定性278。低栅极电荷（典型值7nC）与快速开关特性（td(on)≤15ns），优化高频PWM与电源转换应用36。封装兼容SOT-23、TO-252等紧凑设计，符合AEC-Q101认证，适用于蓝牙耳机音频放大、电池保护、DC-DC转换及空间级高可靠性系统7910。

军工级MOSFET MOS系列产品，严格遵循MIL-PRF-19500及JAN认证标准，专为极端环境设计。全系列采用密封TO-205AD（TO-39）、陶瓷LCC等封装，支持-55℃至+175℃宽温工作范围，耐受325℃峰值加工温度，确保航空航天、卫星电源及军用装备的高可靠性需求158。器件具备抗辐射性能（TID 100krad~300krad，LET 87 MeV·cm²/mg），有效抵御空间粒子干扰36。特性包括：1200V/60V高压支持、40mΩ~5Ω超低导通电阻、8ns高速开关，适配DC-DC转换、电机驱动及固态继电器应用510。提供双向瞬态电压抑制，集成体二极管保护，显著提升系统稳定性与寿命