High Efficiency Rectifier Diode-音特电子

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High Efficiency Rectifier Diode

功能介绍

电力电子行业：开关电源、逆变器、不间断电源、直流输电设备、功率因数校正器

工业控制行业：变频器、电机驱动器、PLC 控制器、工业电源模块

新能源行业：太阳能逆变器、电动汽车充电器、光伏充电桩、分布式能源系统

通信行业：通信基站电源、光模块、路由器、交换机、5G 小基站

产品规格

相关产品

High Voltage Diode

RD系列高压整流二极管采用Sanken原厂技术，核心型号RD 2A具备600V反向耐压与1.2A平均整流电流能力，正向压降低至1.55V@1.2A，显著减少功率损耗。其快恢复特性（反向恢复时间50ns）支持高频开关场景，适用于电源适配器、PD充电器等高效AC-DC转换系统。轴向封装设计兼容通孔安装，工业级温度范围（-40°C至150°C）确保高温环境可靠性。反向漏电流仅10μA@600V，符合RoHS 2.0环保标准，为工程师提供高耐压、低漏电的电路保护解决方案

Super Fast Recovery Rectifier Diode

1. ES1J超快速二极管：600V/1A，采用SMA封装，恢复时间35纳秒。适用于高频开关模式电源（SMPS），低正向压降（VF）可最大限度减少开关损耗。 2. ES1J超快速二极管：电流1A，反向额定电压600V。采用SMA/DO-214AC封装，能可靠提升电信适配器的效率。 3. ES1J整流器：恢复速度极快，600V/1A。减少逆变器中的能量浪费，符合RoHS标准，适用于工业设计。 4. ES1J二极管：采用SMA封装，响应速度超快速。非常适合需要高速整流的LED驱动器。 5. ES1J超快速二极管：1A/600V，恢复迅速。确保高频电机驱动电路的稳定性。

Fast Recovery Rectifier Diode

Fast Recovery Rectifier Diode系列专为高频开关电路设计，提供35ns超快反向恢复时间(trr)及优异开关特性。产品涵盖600V-1500V高压范围，具备高达数百安培的浪涌承受能力(IFSM)与低反向恢复电荷(Qrr)，显著降低开关损耗。采用TO-220/TO-263等工业标准封装，通过AEC-Q101车规认证，确保-55℃至+175℃宽温区稳定运行。关键特性包括： ✓ 超低正向压降(VF ≤ 1.7V) 提升能效 ✓ 优化软恢复特性抑制EMI噪声 ✓ 高雪崩能量(EA)增强系统鲁棒性适用于光伏逆变器、工业电源及新能源汽车等高可靠性领域，提供进口替代优选方案。

Standard Rectifier Diode

RD系列标准整流二极管采用轴向封装（如DO-35、TO-220）及陶瓷表贴设计，满足工业级高密度安装需求。关键特性包括：高反向耐压（600V）、平均整流电流1.2A~20A，正向压降低至1.55V@1.2A（RD 2A）或1.75V@20A（RD2006LS-SB5），确保高效电能转换15。产品通过严格可靠性认证，工作温度范围覆盖-55℃至+175℃，适用于严苛环境9。专为低频（50Hz/60Hz）整流场景优化，如电源适配器、工业AC-DC转换、浪涌吸收及汽车电子系统，结合低漏电流（10μA@600V）与快速恢复能力（trr≤50ns），显著提升电路稳定性与寿命