Global
EN
可持续发展
可持续发展
持续创新、引领行业进步是我们不屈的使命。
新闻&资源
新闻&资源
时刻与您分享我们的一点一滴
关于我们
关于我们
音特电子集技术研发、芯片制造、封装测试、销售和服务于一体
人才发展
人才发展
一同释放潜力,塑造人类健康未来
行业方案
注重客户方案需求,量身定制解决方案,帮您提升产品核心竞争力
概述 应用框图 相关文档 其他相关
功率半导体的N和P掺杂浓度技术探讨

 

01

导率型号的符号上去的, 表示电导型号的符号上的, 用来表示掺杂水平。

- 和 P 表示具有比临近区域更掺杂水平的N和P层N+ 和 pr 表示具有比临近区域更掺杂水平的N和P层

02

N- 典型掺杂范围 1012~1014/cm3

P- 典型掺杂范围 1012~1014/cm3

03

N 典型掺杂范围 1015~1018/cm3

P 典型掺杂范围 1015~1018/cm3

041

 

N+ 典型掺杂范围 1019~1021/cm3

P+ 典型掺杂范围 1019~1021/cm3

一个功率器件在其内部包含有一个弱掺杂N-区域

重掺杂N++和P++层接近金属化表面

应用框图
查找适用于您系统的产品和参考设计
产品
技术文档
相关产品 (0)
其他相关