《音特电子TVS选型指南》手册旨在介绍上海音特电子有限公司的 TVS瞬态抑制二极管产品，及TVS瞬态抑制二极管产品的技术数据与相应的应用方案，提升电路设计工程师使用 TVS瞬态抑制二极管保护器件的效率。
出于产品应用及电路设计过程的相关度考虑，电路设计工程师应当独立地评估器件型号是否适合电路的需要 ，并独立地进行测试 。
欢迎各位电路设计工程师与YINT技术工程师进行技术交流与探讨，共同促进，一起进步，提供更好的产品，造福人类。
音特电子TVS二极管产品系列有：
贴片类：SMF 200W/SMAJ 400W/SMBJ 600W/P6SMB 600W/P8SMB 800W/1.0SMB 1000W/SMCJ 1500W/SMDJ 3000W/5.0SMDJ-H Series 5000W/SM8 6600W
插件类：SA 500W/P6KE 600W/1.5KE 1500W/3KP 3000W/5KP 5000W/15KP 15000W
抗浪涌功率10/1000us功率从200W到15000W；
反向工作电压从3.3V到400V；
单向或双向TVS。
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附件：音特电子TVS选型指南.PDF
PPTC自恢复保险丝（Polymeric Positive Temperature Coefficient ）
正温度系数器件，也就是自恢复保险丝，功能为电子电路或者电子设备提供过流保护。
PTCs 的电阻随着温度的升高而升高，利用这个特性，当安全电流通过时，阻值变化很小，当有异常的电流时， 阻值剧烈变化，达到限制异常电流的目的。 当异常排除，温度回到安全水平时， 阻值自动“重置“。
音特电子提供的正温度系数聚合物（PPTC）作为一种过流保护器件，可以减少保修，维护和维修成本。 是异常过电流频繁区域设备或者高可靠性设备的理想选择。 常被应用在消费电子，电源线，电信， I/O 口，过程控制和医疗设备。
音特电子提供贴片PPTC系列有：SMD0603/SMD0805/SMD1206/SMD1210/SMD1812/SMD2018/SMD2920
以及插件PPTC系列：6V /16V/30V/60V/72V/250V/600VSeries
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附件：音特电子PPTC选型手册
NTC（Negative Temperature Coefficient）
MF72 功率型热敏电阻可以抑制敏感设备的浪涌电流。
在电源端串接一个 NTC 热敏电阻可以抑制开机浪涌电流，而当电路正常工作后， NTC 的电阻将会降到很低的水平，功耗可以忽略不计，不会影响正常工作的电流。
使用 MF72 系列的 NTC 是抑制浪涌电流保护敏感设备的高性价的方案。
音特电子 MF72NTC 热敏电阻符合 CQC UL 和 CUL 认证。
附件：音特电子NTC选型指南
ESD （ Electrostatic Discharge devices）
静电保护模块可保护电子设备免受雷击和静电放电（ ESD）等快速瞬态电压的破坏，为输入/输出接口和数字与模拟信号线提供了理想的保护方案。
音特电子（YINT）的ESD器件
按封装分类，包括： SOD323， SOD523， SOD882， SOD923，SOT23， SOT553， SOT563， SOT353， SOT363， SOT143， SOT23-6L，SOP-8， DFN 等 ；
按工作电压分类有：3.3V,5V,8V,12V,15V,24V,36V等；
根据信号传输频率对电容的要求，可分为标准电容（>100pF），低容LC（5-100pF），超低容ULC（<5pF）等；
按极性可分为单向，双向；
按保护线路分为单线、双线、四线保护等。
附件：音特电子ESD选型指南.PDF
气体放电管GDT（Gas Discharge Tubes）
GDT通过气体电离放电的原理来消除浪涌电压，他们具有高绝缘阻抗，低电容，和低漏电流的特点，因此对设备的正常运行影响很小。
音特电子（YINT ）可提供高性能的小封装的插件/贴片的气体放电管，具有很快的响应速度，大浪涌抑制能力，从而降低设备损坏的风险。因为 GDT 的浪涌吸收能力，是雷击浪涌防护的一个很好的选择，特别适用于室外的电信设备。
音特电子提供气体放电管GDT有：
贴片：SMD1206、SMD1812、2RxxxS-6×4.2、2RxxxS-8x6、3RxxxS-5x7.6、3RxxxS-6x8
插件：2RxxxL-5.5x6、2RxxxL-8×6、3RxxxL-5x7.6、3RxxxL-6x8、3RxxxL-8x10
其中：2R为两脚GDT，3R为三脚GDT；
5.5x6、8×6等表示尺寸。
附件：音特电子GDT选型指南.pdf
半导体放电管TSS （Thyristor Surge Suppressors）
是一种PNPN型的器件，可以看作一个没有门极的晶闸管。当一个浪涌电压超过TSS的关断电压时（VDRM），TSS将电压限制在转折电压以下，这时，当通过TSS的电流超过开关电流，TSS将处于短路的状态。
当通过TSS的电流低于去维持电流IH，TSS将重置恢复到高阻抗状态。
TSS主要应用于电信行业和数据通信的过压保护。
音特电子TSS产品系列主要有TA，S，E，L系列；
封装类型有：SMA/DO-214AC,SMB/DO-214AA,TO-92,DO-15,DO-27等；
音特电子TSS应用案例（部分）：
附件：音特电子半导体放电管TSS选型手册.pdf
压敏电阻 MOV（Metal Oxide Varistors）
压敏电阻的本体是由氧化锌颗粒组成的矩阵结构，颗粒之间的晶界类似双向PN结的电气特性。
当低电压时，这些晶界处于高阻抗状态，当电压高时，又会处于击穿状态，是一种非线性器件。
压敏电阻MOV的主要特性有：
1、高浪涌吸收能力
2、电压范围18V到1800V
3、耐浪涌电流可达70KA
音特电子压敏电阻MOV产品
按尺寸分为5D，7D，10D，14D，20D，25D，32D，34S以及其他定制等类型；
5D Series
5D180L,5D220K,5D270K,5D330K,5D390K,5D470K,5D560K,5D680K,5D820K,5D101K,5D121K,5D151K,5D181K,5D201K,5D221K,5D241K,5D271K,5D301K,5D331K,5D361K,5D391K,5D431K,5D471K,5D511K,5D561K,5D621K,5D681K,
7D Series
7D180L,7D220K,7D270K,7D330K,7D390K,7D470K,7D560K,7D680K,7D820K,7D101K,7D121K,7D151K,7D181K,7D201K,7D221K,7D241K,7D271K,7D301K,7D331K,7D361K,7D391K,7D431K,7D471K,7D511K,7D561K,7D621K,7D681K,7D751K,7D781K,7D821K,
10D Series
10D180K,10D220K,10D270K,10D330K,10D390K,10D470K,10D560K,10D680K,10D820K,10D101K,10D121K,10D151K,10D181K,10D201K,10D221K,10D241K,10D271K,10D301K,10D331K,10D361K,10D391K,10D431K,10D471K,10D511K,10D561K,10D621K,10D681K,10D751K,10D781K,10D821K,10D911K,10D951K,10D102K,10D112K,10D182K,
14D Series
14D180L,14D220K,14D270K,14D330K,14D390K,14D470K,14D560K,14D680K,14D820K,14D101K,14D121K,14D151K,14D181K,14D201K,14D221K,14D241K,14D271K,14D301K,14D331K,14D361K,14D391K,14D431K,14D471K,14D511K,14D561K,14D621K,14D681K,14D751K,14D781K,14D821K,14D911K,14D951K,14D102K,14D112K,14D182K,
20D Series
20D180L,20D220K,20D270K,20D330K,20D390K,20D470K,20D560K,20D680K,20D820K,20D101K,20D121K,20D151K,20D181K,20D201K,20D221K,20D241K,20D271K,20D301K,20D331K,20D361K,20D391K,20D431K,20D471K,20D511K,20D561K,20D621K,20D681K,20D751K,20D781K,20D821K,20D911K,20D951K,20D102K,20D112K,20D122K,20D152K,20D182K,
25D Series
25D201K,25D221K,25D241K,25D271K,25D301K,25D331K,25D361K,25D391K,25D431K,25D471K,25D511K,25D561K,25D621K,25D681K,25D751K,25D781K,25D821K,25D911K,25D951K,25D102K,25D122K,25D142K,25D162K,25D182K,
32D Series
32D201K,32D221K,32D241K,32D271K,32D301K,32D331K,32D361K,32D391K,32D431K,32D471K,32D511K,32D561K,32D621K,32D681K,32D751K,32D781K,32D821K,32D911K,32D951K,32D102K,32D122K,32D142K,32D162K,32D182K,
34S Series
34S201K,34S221K,34S241K,34S271K,34S301K,34S331K,34S361K,34S391K,34S431K,34S471K,34S511K,34S561K,34S621K,34S681K,34S751K,34S781K,34S821K,34S911K,34S951K,34S102K,34S122K,34S142K,34S162K,34S182K
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附件：音特电子压敏电阻MOV选型手册.PDF
肖特基二极管 SBR （Schottky Barrier Rectifiers）
肖特基二极管是利用金属半导体接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
典型应用于AC-DC和DC-DC转换器，电池极性保护，多种电压“ORing”和其他小尺寸系统。
SBR经常用作低压，高频整流器或者整流桥，极性保护二极管。
音特电子肖特基二极管SBR
按电流分为：1A,2A,3A,5A等；
按封装类型有：SMA、SMB、SMC、SOT23等。
音特肖特基二极管型号主要有：
SMA(1A)：SS12,SS13,SS14,SS15,SS16,SS18,SS19,SS110,SS115,SS120,
SMA/SMB (2A)：SS22,SS23,SS24,SS25,SS26,SS28,SS29,SS210,SS215,SS220,
SMA/SMB(3A)：SS32,SS33,SS34,SS35,SS36,SS38,SS39,SS310,SS315,SS320,
SMC(3A)：SK32,SK33,SK34,SK35,SK36,SK38,SK39,SK310,SK315,SK320,
SMC(5A)：SK52,SK53,SK54,SK55,SK56,SK58,SK59,SK510,SK515,SK520,
SOT23：BTA54,BAT54A,BAT54C,BAT54S,
附件：音特电子肖特基二极管SBR选型手册.PDF
整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电的半导体器件。
选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。
根据芯片工艺不同，反向恢复时间也不同，通常分为四大类：
1、普通整流二极管Standard Rectifier Diode ，反向恢复时间大于 500ns（纳秒）；
2、快恢复整流二极管Fast Recovery Rectifier Diode ，反向恢复时间 150-500ns（纳秒）；
3、高效率整流二极管High Efficiency Rectifier Diode ，反向恢复时间 50-100ns（纳秒）；
4、超快速整流二极管Super Fast Recovery Rectifier Diode ，反向恢复时间 15-35ns（纳秒） 。
音特电子可以提供的整流二极管
按封装分类有：SOD-123FL、SMAF、SMA、SMBF、SMB、SMC等；
按电流Io分为：1A,2A,3A,5A等；
按反向电压VR有：50V,100V,200V,400V,600V,1000V等类型。
普通整流二极管 GRD(General Purpose Rectifiers Diodes)
1N4001W,1N4002W,1N4003W,1N4004W,1N4005W,1N4006W,1N4007W、
S1AF,S1BF,S1DF,S1GF,S1JF,S1KF,S1MF、
S2AF,S2BF,S2DF,S2GF,S2JF,S2KF,S2MF、
S3AF,S3BF,S3DF,S3GF,S3JF,S3KF,S3MF、
S2ABF,S2BBF,S2DBF,S2GBF,S2JBF,S2KBF,S2MBF、
S3ABF,S3BBF,S3DBF,S3GBF,S3JBF,S3KBF,S3MBF、
S5ABF,S5BBF,S5DBF,S5GBF,S5JBF,S5KBF,S5MBF、
S1A,S1B,S1D,S1G,S1J,S1K,S1M、
S2A,S2B,S2D,S2G,S2J,S2K,S2M、
S2AB,S2BB,S2DB,S2GB,S2JB,S2KB,S2MB、
S3AB,S3BB,S3DB,S3GB,S3JB,S3KB,S3MB、
S3AC,S3BC,S3DC,S3GC,S3JC,S3KC,S3MC、
S5AC,S5BC,S5DC,S5GC,S5JC,S5KC,S5MC；
快恢复二极管,FR(Fast Recovery Rectifier Diodes)
FR101W,FR102W,FR103W,FR104W,FR105W,FR106W,FR107W,
RS1AF,RS1BF,RS1DF,RS1GF,RS1JF,RS1KF,RS1MF,
RS2AF,RS2BF,RS2DF,RS2GF,RS2JF,RS2KF,RS2MF,
RS3AF,RS3BF,RS3DF,RS3GF,RS3JF,RS3KF,RS3MF,
RS2ABF,RS2BBF,RS2DBF,RS2GBF,RS2JBF,RS2KBF,RS2MBF,
RS3ABF,RS3BBF,RS3DBF,RS3GBF,RS3JBF,RS3KBF,RS3MBF,
RS5ABF,RS5BBF,RS5DBF,RS5GBF,RS5JBF,RS5KBF,RS5MBF,
RS1A,RS1B,RS1D,RS1G,RS1J,RS1K,RS1M,
RS2A,RS2B,RS2D,RS2G,RS2J,RS2K,RS2M,
RS2AB,RS2BB,RS2DB,RS2GB,RS2JB,RS2KB,RS2MB,
RS3AB,RS3BB,RS3DB,RS3GB,RS3JB,RS3KB,RS3MB,
RS3AC,RS3BC,RS3DC,RS3GC,RS3JC,RS3KC,RS3MC,
RS5AC,RS5BC,RS5DC,RS5GC,RS5JC,RS5KC,RS5MC,
高效整流二极管,HERD(High Efficiency Rectifier Diodes)
US1AW,US1BW,US1DW,US1GW,US1JW,US1KW,US1MW,
US5AC,US5BC,US5DC,US5GC,US5JC,US5KC,US5MC,
US1AF,US1BF,US1DF,US1GF,US1JF,US1KF,US1MF,
US2AF,US2BF,US2DF,US2GF,US2JF,US2KF,US2MF,
US3AF,US3BF,US3DF,US3GF,US3JF,US3KF,US3MF,
US2ABF,US2BBF,US2DBF,US2GBF,US2JBF,US2KBF,US2MBF,
US3ABF,US3BBF,US3DBF,US3GBF,US3JBF,US3KBF,US3MBF,
US5ABF,US5BBF,US5DBF,US5GBF,US5JBF,US5KBF,US5MBF,
US1A,US1B,US1D,US1G,US1J,US1K,US1M,
US2A,US2B,US2D,US2G,US2J,US2K,US2M,
US2AB,US2BB,US2DB,US2GB,US2JB,US2KB,US2MB,
US3AB,US3BB,US3DB,US3GB,US3JB,US3KB,US3MB,
US3AC,US3BC,US3DC,US3GC,US3JC,US3KC,US3MC,
超快恢复二极管UFR(Ultra Fast Recovery Rectifier Diodes)
ES1AW,ES1BW,ES1DW,ES1GW,ES1JW,
ES1AF,ES1BF,ES1DF,ES1GF,ES1JF,
ES2AF,ES2BF,ES2DF,ES2GF,ES2JF,
ES3AF,ES3BF,ES3DF,ES3GF,ES3JF,
ES2ABF,ES2BBF,ES2DBF,ES2GBF,ES2JBF,
ES3ABF,ES3BBF,ES3DBF,ES3GBF,ES3JBF,
ES1A,ES1B,ES1D,ES1G,ES1J,
ES2A,ES2B,ES2D,ES2G,ES2J,
ES2AB,ES2BB,ES2DB,ES2GB,ES2JB,
ES3AB,ES3BB,ES3DB,ES3GB,ES3JB,
ES3AC,ES3BC,ES3DC,ES3GC,ES3JC,
ES5AC,ES5BC,ES5DC,ES5GC,ES5JC,
附件：音特电子整流二极管RD选型手册.PDF
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上海音特电子有限公司简介
http://www.iqiyi.com/w_19ryuofap1.html
PPTC参数介绍与选型
http://www.iqiyi.com/w_19ryvc953d.html#vfrm=16-1-1-1
半导体放电管参数介绍与选型
http://www.iqiyi.com/w_19ryvc9ac1.html#vfrm=16-1-1-1
ESD参数介绍与应用选型
http://www.iqiyi.com/w_19ryvdi6b1.html#vfrm=16-1-1-1
汽车级TVS参数解读与应用选型
http://www.iqiyi.com/w_19ryvehdel.html#vfrm=16-1-1-1
TVS参数详细解读与应用
Application of Yint products ,Welcom to download.
功率 MOS 管自身拥有众多优点，但是MOS 管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率 MOS 管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。
功率 MOS 管保护电路主要有以下几个方面：
1）防止栅极 di/dt 过高
由于采用驱动芯片，其输出阻抗较低，直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断，有可能造成功率管漏源极间的电压震荡，或者有可能造成功率管遭受过高的 di/dt 而引起误导通。为避免上述现象的发生，通常在 MOS 驱动器的输出与 MOS 管的栅极之间串联一个电阻，电阻的大小一般选取几十欧姆。
2）防止栅源极间过电压
由于栅极与源极的阻抗很高，漏极与源极间的电压突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的栅源尖峰电压，此电压会使很薄的栅源氧化层击穿，同时栅极很容易积累电荷也会使栅源氧化层击穿，所以要在 MOS 管栅极并联稳压管以限制栅极电压在稳压管稳压值以下，保护 MOS 管不被击穿，MOS 管栅极并联电阻是为了释放栅极电荷，不让电荷积累。
3）防护漏源极之间过电压
虽然漏源击穿电压 VDS 一般都很大，但如果漏源极不加保护电路，同样有可能因为器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压，进而损坏 MOS 管，功率管开关速度越快，产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏，通常采用齐纳二极管钳位和 RC 缓冲电路等保护措施。
当电流过大或者发生短路时，功率 MOS 管漏极与源极之间的电流会迅速增加并超过额定值，必须在过流极限值所规定的时间内关断功率 MOS 管,否则器件将被烧坏，因此在主回路增加电流采样保护电路，当电流到达一定值，通过保护电路关闭驱动电路来保护 MOS 管。
下图是 MOS 管的保护电路，由此可以清楚的看出保护电路的功能。
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关键词：MOS管FET栅源保护、MOS管。
音特:www.yint.com.cn
在电子电路中如今常用的保护器件有：稳压二极管、瞬态电压抑制TVS管、ESD放电二极管、半导体放电管等先进的新型电子元器件。保护元器件，主要保护电子电路中的精密器件免受过压、过流、浪涌、电磁等干扰情况下不受破坏，任何领域都要运用到他们，使用范围极其广泛。
其中TVS管是一种常见的浪涌抑制器件，它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压精准，钳位电压容易控制等多个优点。其工作原理为，当高能量冲击时，TVS能在很快的时间（10-12S）内由高阻抗变成低阻抗，从而吸收刹那间的大电流，然后把它俩端电压钳位在预定的值，起到保护后级电路的作用。根据其原理，TVS可用于维护设备或电路免受静电、电理性负载切换时产生的瞬变电压、及感应雷产生的过电压。
TVS管的通流容量在限压型浪涌保护器中是最小的，一般用于末级的保护。如用于电源的防雷电路中时，一般还需要与压敏电阻或气体放电管等通流容量大的器件配合使用。
TVS失效模式
1：当瞬态脉冲能量大于TVS所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损伤，特别是当瞬态能量远远超出TVS所能承受的数倍时会直接导致TVS过电应力烧毁。失效模式为短路。
2：当电路中通过的电流太大，可能会造成TVS炸裂，失效模式为开路。这种情况通常为设计时考虑不周全，TVS通流量过小造成的。
3：电性能退化 当TVS经过成千上万次的标准脉冲冲击后失效，失效模式为短路。这种模式因长时间工作结温持续增大导致（器件内部结构变化、散热能力下降）过热烧毁。
结论
在TVS实际使用中，TVS短路失效可能是各种因素综合作用的结果。音特电子建议：首先做到TVS的正确选型与安装，最好对TVS进行降额使用，这样可使TVS承受的功率较小，使用可靠性大大增加。此外，为使TVS发生短路失效时对被保护电子设备的影响降到最低，通常可在TVS前串接一条与之匹配的保险丝/自恢复保险丝PPTC
如有疑问请咨询音特电子
PPTC 是 英 文 单 词 的 缩 写 ： Polymeric Positive Temperature Coefficient ， 也 称 PolySwitch PPTC（机聚合物在高温、高压、硫化反应的条件下，掺加导电 粒子材料后，经过特殊工艺制作而成。相比传统保险丝只能保护一次，烧坏需更换，PPTC 可以重复使用，减少维护和维修成本。
A. 当设备电路出现过电流或短路故障时，自恢复保险丝会从低阻变成高阻，达到保护电路 目的。（过电流保护）
B. 当异常电流排除后，自恢复保险丝自动恢复无需人工干预。（自动恢复）
C. 自恢复保险丝工作中，以很小的电流维持其高阻状态。在电源闭合或故障排除后，才会 自动恢复。避免了设备通断恶性循环。（非循环运作）
D. 自恢复保险丝在电路正常工作状态下为低阻值，对电路几乎无影响；
如有疑问请咨询音特电子：021-22817269
相信很多工程师对压敏电阻和 TVS 如何在电路中并联使用，还是有一定疑惑的。今天用一个实例为大家说明下。
使用音特电子的压敏电阻为 14D820K，TVS 为 SMCJ58CA。
压敏电阻与 TVS 二极管都属于防雷过压保护元件，两者并联是采用分级防护理念。压敏电阻前级防护泄放大能量，次级的 TVS 二极管用于末级的精细保护，进一步释放浪涌能量。两级之间需要电阻电感等做隔离退偶。
如果没有电感的时候，当浪涌进入时，电压突然变高，压敏电阻和 TVS 管被击穿进行钳位。从两者之间的特性来看，TVS 管的响应速度是比压敏电阻更快的，在不加电感的时候，就会出现压敏电阻还没有响应，TVS 管就开始响应了，这时 TVS 管就会烧坏。因为 TVS管的通流量比较小。加上电感时，因为电感对突变的电流有一定的抑制作用，所以可以当浪涌来时，使压敏电阻先工作，去抗来的一个高电压，然后留到后级电路的电压便是压敏电阻上面的残压，这是 TVS 管是完全可以承受的电压。
IEC61000-4-5 和 GB/T17626.5
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压敏电阻的失效模式
压敏电阻的最大特点是加在它上面的电压低于它的阀值“压敏电压”时，通过它的电流很小，相当于一只关死的阀门，当电压超过压敏电压时，电流激增阀门打开。利用这一功能，可以抑制电路中经常出现的异常过电压，从而实现对后级电路的保护。
压敏电阻就是用于电路中的瞬态过电压保护。虽然它的通流容量大，但是能量容量却不大。此外，因为它的冲击电流最大脉冲宽度远远小于大中功率半导体系统实际脉冲电流宽度，所以才会时常发生短路或烧坏及失效现象。那么压敏电阻作为一种安全元件，在它完成保护功能的同时，要确保自身的安全，方才能起到保护的作用。们对其失效进行分析。
1.开路失效一般体现为电阻体炸裂。当经过压敏电阻的电流很大(8/20μs 电流波），电阻器内部经过电流部位产生很大的热量，而来不及传导出去，使内部不同部位形成很大的温差，因热应力而炸裂，但不会起火燃烧。
2.短路失效分为老化失效和暂态过电压破坏。
老化失效：长期施加在压敏电阻上的系统工作电压也会引起性能下降。表现为伏安特性的线性化，即电阻性漏电流上升，压敏电压下降，直至为 0。
暂态过电压破坏，指短时间内出现较强的暂态过电压使电阻体穿孔，导致更大的电流而高热起火，整个过程在较短时间内发生。以致电阻体设置的热熔点来不及熔断。
一般选择标称压敏电压 V1mA 和通流容量两个参数
压敏电压的选择：在电路保护中，综合多方面因素，在交流电流中，要选用压敏电压为额定电压 2.2-2.5 倍的压敏电阻；在直流电路中，要选用压敏电压为直流电压额定值 1.82 倍的压敏电阻；
通流容量的选择：原理上是按照最大暂态浪涌电流来选择，但在实际应用过程中，要适当加大所选压敏电阻的通流容量。
固有寄生电容：压敏电阻有一个固有电容问题，根据外形尺寸和标称电压的不同，其值在数百至数千 pF 之间，不适合在高频场合下使用。同时，压敏电阻的瞬时功率较大，但平均持续功率却很小，因此，不能让压敏电阻长时间处于工作状态。
压敏电阻一般并联在电路中使用，当电阻两端的电压发生急剧变化时，电阻短路将电流保险丝熔断，起到保护作用。压敏电阻在电路中，常用于电源过压保护和稳压。电源防雷器的可靠性、安全性在很大程度上依赖于压敏电阻的正确使用，以下原则可供使用参考。特别要指出的是，在电源防雷设计中还要考虑各个地方的电源质量差别、雷击频度和强度的差别、被保护设备的安装使用情况和冲击耐受能力等的差别，不能用一个公式照搬照套。设计好的防雷保护装置必须在现场使用条件下或尽可能接近真实情况的模拟条件下进行试验验证。
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ESD静电放电(Electro-Static discharge)
是一种自然现象，产生的方式多种，如接触、摩擦、电器间感应/当材料表面上的电子由于感应或摩擦起电而重新分布时，就会造成电荷不平衡，从而产生电场。当静电场电荷累计足够强时，电荷将在电势差中寻求平衡，就会发生剧烈电击，也就是静电放电。这些常见的电击对人类是良性的，但对于亚微米级的微电子设备，却可能造成工业、航天航空电子设备的操损坏。
瞬态电压抑制 (TVS) 电路保护二极管可保护数据接口免受 ESD、雷电和其他破坏性电压瞬变引起的损坏或闩锁。音特电子公司的电路保护设备具有低钳位电压、低电容和低泄漏电流的特点。
IEC61340-5-1:2007标准是ESD S20.20:2007
IEC61340-5-1:2007标准是对通过ESD S20.20:2007
欧洲和日本企业会更倾向于IEC61340-5-1标准的认证
如何选择ESD保护器件？
选择合适的电路保护设备十分重要。
1.需要针对瞬态条件妥当评估 ESD 防护，符合相关标准
2. ESD 设备的电气参数也不得对数据接口造成有害的信号完整性问题。
3.良好的 ESD 防护通常具有极快的响应时间、低工作和钳位电压、低泄漏电流以及低电容
4. 高峰值 ESD 电流，保证器件的整个生命周期间保持一致的性能
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