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N沟道MOSFET系列采用先进沟槽工艺与超结技术，实现业界领先的低导通电阻（低至0.59mΩ@10V）与优值系数（FOM）610，显著降低开关损耗（Qgd×RDS(on)优化46%）及导通损耗，提升电源转换效率。产品支持4.5V逻辑电平驱动，兼容3.3V/5V MCU控制，适用于高频开关场景69。全系提供-55℃至175℃宽工作结温范围，通过AEC-Q101可靠性认证，具备高雪崩能量（单脉冲325mJ）及低栅极电荷（典型值9.1nC）特性6710。封装涵盖SOP Advance(N)、TO-252-2L、PQFN 3.3×3.3等紧凑设计，满足服务器电源、通信设备、蓝牙耳机音频管理、快充模块及工业电源的高功率密度与高可靠性需求

P沟道MOSFET系列提供高性能功率管理解决方案，覆盖-20V至-150V宽电压范围，满足工业、汽车及消费电子严苛需求689。产品采用先进沟槽技术，实现超低导通电阻（最低1.8mΩ@VGS=-10V），显著降低导通损耗并提升系统能效46。支持-3A至-85A宽电流范围及高脉冲电流能力（-240A），确保高负载场景下的稳定性278。低栅极电荷（典型值7nC）与快速开关特性（td(on)≤15ns），优化高频PWM与电源转换应用36。封装兼容SOT-23、TO-252等紧凑设计，符合AEC-Q101认证，适用于蓝牙耳机音频放大、电池保护、DC-DC转换及空间级高可靠性系统7910。

军工级MOSFET MOS系列产品，严格遵循MIL-PRF-19500及JAN认证标准，专为极端环境设计。全系列采用密封TO-205AD（TO-39）、陶瓷LCC等封装，支持-55℃至+175℃宽温工作范围，耐受325℃峰值加工温度，确保航空航天、卫星电源及军用装备的高可靠性需求158。器件具备抗辐射性能（TID 100krad~300krad，LET 87 MeV·cm²/mg），有效抵御空间粒子干扰36。特性包括：1200V/60V高压支持、40mΩ~5Ω超低导通电阻、8ns高速开关，适配DC-DC转换、电机驱动及固态继电器应用510。提供双向瞬态电压抑制，集成体二极管保护，显著提升系统稳定性与寿命