AI推理卡 NVMe 存储扩展接口通过 PCIe 链路连接板载 M.2 插槽或外部 NVMe 背板，面临来自线缆与背板电源的浪涌威胁；NVMe 接口浪涌防护需分级设计：供电端 3.3V 采用 SMBJ5.0A TVS，600W 峰值功率钳位电压 9.2V 满足 1kV/2Ω 组合波要求，数据端 PCIe 4.0/5.0 信号采用 ESDLC5V0D8B 超低电容 ESD 阵列，0.45pF 电容确保 32GT/s 信号质量，边带信号 PERST、CLKREQ 采用 ESD5V0D3B，1.5pF 电容适配低速逻辑；音特电子还推荐在 NVMe 供电入口串联 SMD1812L-110-16V PPTC 实现过流-过压协同保护，PCB 布局严格执行 TVS 距 M.2 连接器引脚 <3mm，接地过孔孔径 0.3mm 数量不少于 2 个，该方案通过 PCI-SIG 认证，在 ±2kV 浪涌测试中 NVMe SSD 无掉盘无数据错误.
沪公网安备31011702889749号
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