寄生电容（主要由绕组层间耦合及引脚分布引起）对高频信号完整性危害显著
高频谐振风险：
寄生电容 Cp与电感 L 形成 LC 回路，自谐振频率公式。若 \(Cp > 10pF)，可能使抑制频段（如 1MHz~100MHz）内出现阻抗谷值，削弱滤波效果并导致信号反射或振荡
带宽劣化：
寄生电容相当于并联在电感两端的高频旁路，使高频段共模阻抗过早下降，无法有效抑制通信频段（如 USB 3.0 / 以太网的 GHz 级噪声）
辐射干扰加剧：
未被充分衰减的共模电流可能通过线缆辐射，违反 FCC/CISPR 辐射限值标准
时序恶化：
高速信号（如 HDMI/PCIe）的边沿速率极高，寄生 RC 延迟会导致码间干扰（ISI）或误码率上升
沪公网安备31011702889749号
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