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氮化镓（GaN）技术也取得重要进展

来源：音特电子发布日期：2025-05-28 浏览次数：500次

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氮化镓（GaN）技术也取得重要进展

山东大学新一代半导体材料研究院崔鹏、韩吉胜教授团队研发出具有晶态氮化硅（SiN）帽层的新型 GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）。与传统器件相比，该器件饱和电流提升 41%，击穿电压提升 30%。团队通过原位生长技术，首次在 AlGaN 势垒层上生长出 2nm 晶态 SiN 帽层，降低了界面态密度，有效抑制尖峰电场分布，简化了工艺流程并节约成本，在 GaN 功率开关和高功率微波领域具有重要应用潜力。

这些技术突破表明，半导体功率器件正朝着高性能、高可靠性方向加速发展，将有力推动新能源汽车、航天、通信等多个行业的技术升级与产业变革。随着研发的持续投入和产业链的协同创新，功率器件技术有望在未来取得更多突破，为全球科技发展提供强大支撑