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N型SIC和P型SIC的欧姆接触的基本原理？

来源：音特电子发布日期：2023-06-18 浏览次数：3308次

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N型碳化硅和P型碳化硅的欧姆接触的基本原理是通过合适的金属材料与碳化硅材料之间的电子转移来建立接触电阻尽可能小的电气连接。

对于N型碳化硅，其导电性主要由额外的自由电子贡献。当金属与N型碳化硅接触时，金属中的自由电子可以轻易地进入N型碳化硅中，形成电子注入，使碳化硅形成具有低电阻的接触。

对于P型碳化硅，其导电性主要由空穴贡献。当金属与P型碳化硅接触时，金属中的自由电子与P型碳化硅中的空穴结合，形成电子-空穴对而减弱空穴浓度，这样就可以形成具有低电阻的接触。
N型和P型SIC的欧姆接触的基本原理是通过金属与碳化硅之间的电子转移来建立具有低电阻的接触。

AL（铝）基金属在SiC（碳化硅）中被称为有效受主元素，是因为它具有以下特点：

1. 高自由缺陷浓度：在SiC材料中，铝原子可以导致高自由缺陷浓度。这是因为铝原子可以在SiC晶格中形成额外的局部缺陷，例如铝空位和局部杂质能级。这些缺陷和能级提供了额外的能量状态，增加了电荷载流子的扩散、复合等过程，从而影响了材料的电性能。

2. 掺杂效果：铝的掺杂可以改变SiC的电子浓度类型，使其由N型（导电性由自由电子贡献）转变为P型（导电性由空穴贡献）。这种掺杂效果使得铝在SiC中具有重要的应用价值，例如制备双极型功率器件。

总之，铝在SiC中是有效受主元素，这是因为它可以引入高自由缺陷浓度，并且改变材料的电子浓度类型，从而对SiC材料的电性能产生重要影响。