变频器中应用SiC功率器件带来的EMC新挑战，主要源于其更高的开关速度和频率。
难点包括：极高的dv/dt和di/dt，导致更强的近场电磁干扰和更丰富的频谱成分，可能延伸至数百MHz甚至GHz，传统滤波器设计可能失效。更高的开关频率使得噪声基频上移，对滤波元件的频率特性要求更高。SiC器件对驱动回路噪声更敏感，其更低的栅极阈值电压要求驱动信号极其纯净，抗干扰设计难度加大。器件封装内的寄生参数影响更显著，需要更精细的布局以控制环路电感。传统的吸收电路可能因频率过高而效果不佳或损耗过大。
应对这些难点，需要采取新的设计策略：采用专门为高频优化的驱动芯片，具有更短的传播延迟和更高CMTI。使用超低电感的封装和连接技术，如直接键合铜基板。设计覆盖更宽频段、高频性能更好的EMI滤波器，可能需使用镍锌铁氧体等高频材料。优化吸收电路，使用高频特性好的电容和电阻。充分利用仿真工具，在设计前期预测高频EMI行为。音特电子正在开发适应宽禁带半导体应用的滤波和驱动解决方案，以应对这些挑战。
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