EPS中用于驱动MOSFET/IGBT的图腾柱输出级，其自身开关动作也会产生噪声。减少其EMI的措施包括：
1.优化图腾柱对管参数：上下拉晶体管，通常为NPN/PNP或N-MOS/P-MOS的开关速度应匹配，避免出现两管同时部分导通的“直通”状态，产生大电流尖峰。
2.增加图腾柱电源去耦：在图腾柱电路的电源引脚（VCC和地）之间就近并联高质量的高频陶瓷电容，如0.1μF和10μF并联，提供瞬态大电流并抑制电源线上的噪声。
3.串联小电阻：在图腾柱输出到驱动芯片最终输出之间串联一个小电阻几欧姆，可以减缓驱动信号的边沿，从而降低由驱动线寄生电感引起的振铃。
4.确保参考地干净：图腾柱电路的地应与驱动IC的地在同一干净点上连接，并直接返回至驱动电源的滤波电容地端。
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