Global
EN
可持续发展
可持续发展
持续创新、引领行业进步是我们不屈的使命。
新闻&资源
新闻&资源
时刻与您分享我们的一点一滴
关于我们
关于我们
音特电子集技术研发、芯片制造、封装测试、销售和服务于一体
人才发展
人才发展
一同释放潜力,塑造人类健康未来
新闻&资源
时刻与您分享我们的一点一滴
企业新闻 行业资讯 产品知识 资料下载
MOS管充放电保护电路?
来源:音特电子 发布日期:2023-06-13 浏览次数:2310次
分享:

MOS管充放电保护电路是用于保护MOS管的充放电过程的电路。在MOS管的充放电过程中,由于存在反向电压或电流的可能性,可能会导致MOS管损坏或失效。为了避免这种情况的发生,需要使用充放电保护电路。

充放电保护电路可以分为两种类型:单向保护电路和双向保护电路。单向保护电路主要针对MOS管在充电过程中产生的反向电压或电流,通过添加二极管等元器件来避免这些反向电压或电流对MOS管造成的损害。而双向保护电路则可以在MOS管充电和放电的过程中都进行保护,通常采用MOS管和二极管组合实现。

无论采用何种保护方法,必须注意保持保护电路电阻的合适,以避免过量电MOS管充放电保护电路是用于保护MOS管的充放电过程的电路。在MOS管的充放电过程中,由于存在反向电压或电流的可能性,可能会导致MOS管损坏或失效。为了避免这种情况的发生,需要使用充放电保护电路。

充放电保护电路可以分为两种类型:单向保护电路和双向保护电路。单向保护电路主要针对MOS管在充电过程中产生的反向电压或电流,通过添加二极管等元器件来避免这些反向电压或电流对MOS管造成的损害。而双向保护电路则可以在MOS管充电和放电的过程中都进行保护,通常采用MOS管和二极管组合实现。

无论采用何种保护方法,必须注意保持保护电路电阻的合适,以避免过量电流流过保护电路,从而导致保护电路本身产生过热和损坏。流流过保护电路,从而导致保护电路本身产生过热和损坏。

热门新闻
正向导通电压VF与ESD的VBR_forward
2025-11-27
普通二极管的正向导通电压VF与ESD保护二极管的正向击穿电压VBR_forward有何区别? 首先:普通二极管的VF:是正向偏置时PN结导通的门槛电压(硅管≈0.7V),导通后电流随电压缓慢增大,无“击穿”特性,正向电流过大时会因热损耗损坏 ESD管的VBR_forward:是正向偏置时发生雪崩击穿的电压,击穿后电流骤增(如:VBR_forward=6V 时
ESD保护二极管的 “动态电阻(Rd)” 如何定义?
2025-11-21
类人机器人BMS静电保护、类人机器人传感器模块静电保护、类人机器人位置传感器静电保护、类人机器人电机驱动器静电保护、类人机器人系统控制器静电保护、割草机器人静电保护、扫地机器人静电保护、机器人 CPU 和计算板静电保护、机器人 I/O 模块静电保护、 机器人传感器模块静电保护、机器人伺服驱动器静电保护、机器人位置传感器静电保护、机器人位置反馈聚合器静电保护、机器人安全模块静电保护、机器人示教盒 (HMI)静电保护、 机器人通信模块静电保护、移动机器人 BMS静电保护、移动机器人 CPU 和计算模块静电保护、移动机器人传感器静电保护、移动机器人安全模块静电保护、移动机器人电机控制静电保护、移动机器人通信模块静电保护
为什么部分ESD保护二极管采用 “双向击穿” 设计?
2025-11-15
USB 2.0/3.0、HDMI、DP、以太网(RJ45)、I2C/SPI 总线(双向通信),DC-DC 电源输入口、电池供电线路、5V/12V 设备电源接口