Global
EN
可持续发展
可持续发展
持续创新、引领行业进步是我们不屈的使命。
新闻&资源
新闻&资源
时刻与您分享我们的一点一滴
关于我们
关于我们
音特电子集技术研发、芯片制造、封装测试、销售和服务于一体
人才发展
人才发展
一同释放潜力,塑造人类健康未来
新闻&资源
时刻与您分享我们的一点一滴
企业新闻 行业资讯 产品知识 资料下载
JEDEC最高要求30 KV是为什么?
来源:音特电子 发布日期:2023-07-30 浏览次数:2898次
分享:

JEDEC最高要求30 KV是因为这是一个常见的静电放电(ESD)电压限制。

ESD是在两个物体之间发生的静电放电,可能会损坏电子设备或导致数据丢失。因此,为了确保设备的可靠性和稳定性,JEDEC制定了30 KV的静电放电标准。这个标准是基于实际测试和经验得出的,可以保证设备在正常操作和使用过程中不受到不可接受的静电放电影响。

JE针对电子芯片静电放电(ESD)制定了几个标准,主要有以下几个标准号:1. JEDEC JESD22-A114:这个标准规定了集成电路(IC)和元件对人体模型(HBM)ESD的测试方法和要求。

2. JEDEC JESD22-A115:这个标准规定了IC和元件对扩散模型(CDM)ESD的测试方法和要求。

3. JEDEC JESD22-C101:这个标准规定了IC和元件对系统级模型(MM) ESD的测试方法和要求。

这些标准定义了ESD测试的条件、仪器设备和测试流程,以确保芯片能够在ESD事件下安全运行。每个标准针对不同的ESD电压模型,分别规定了不同的测试方法和测试参数。

热门新闻
ESD保护二极管的雪崩击穿与齐纳击穿在物理机制上差异?
2025-10-14
首先简单理解的雪崩与齐纳击穿之间差异: 雪崩击穿:高反向电压使耗尽区中载流子获得足够能量,与晶格原子碰撞产生新的电子 - 空穴对(雪崩倍增),导致反向电流骤增;击穿电压随温度升高而升高(正温度系数),适用于高电压、大电流场景(如电源端防护) 齐纳击穿:低反向电压使耗尽区中强电场直接将束缚电子拉出共价键(场致发射),反向电流骤增;击穿电压随温度升高而降低(负温度系数)  
ESD静电保护二极管与普通整流二极管有何本质区别
2025-10-12
一、芯片流片掺杂工艺:从 “材料结构” 决定器件特性差异   芯片掺杂工艺是二者最核心的底层差异,直接决定了器件的击穿特性、芯片掺杂工艺是二者最核心的底层差异,直接决定了器件的击穿特性、响应速度、导通能力等关键参数,本质是通过调整掺杂元素(如 P 型硼、N 型磷)的浓度、分布区域、结深 对比维度 ESD 静电保护二极管 普通整流二极管(以
用频谱仪如何定位汽车电子EMC出现电磁干扰问题?
2025-09-27
汽车电程师都知道,在汽车电子EMS中定位电磁干扰源时,频谱分析仪起到核心作用,它是用来捕获干扰的频率特征并结合空间分布定位源头,具体方法和参数设置如下: 第一步:定位步骤    初步扫频:先用频谱分析仪对整车或目标系统(如车载雷达、ECU)进行全频段扫描(通常 10kHz~6GHz,覆盖汽车电子常见干扰频段),记录干扰信号的中心频率、带宽及强度