新闻&资源

平面MOSFET和超结MOSFET是两种不同的MOSFET结构，它们有一些差异。1. 结构差异：- 平面MOSFET：平面MOSFET是最常见的MOSFET结构，由三个主要区域组成：栅极、通道和漏极。栅极和漏极之间有一个绝缘层，用于控制通道的导电性。- 超结MOSFET：超结MOSFET是一种特殊设计的MOSFET，具有额外的特殊结构，即超结。超结结构通常是通过薄膜沉

碳化硅的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）相比传统硅MOSFET具有更高的击穿电场强度和较低的漏电流，因此在一定程度上能够更好地抵御静电问题。然而，为了进一步解决静电问题，以下是一些常见的方法：1. 设计合适的保护电路：在MOSFET的输入和输出端进行静电保护设计，例如使用TVS二极管或静

在MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中，电流和电压之间存在一定的关系。MOSFET的电流与栅极电压和漏极电压相关，可以通过以下几个关键参数来描述：1. 阈值电压（Threshold Voltage，Vth）：当栅极电压大于等于阈值电压时，MOSFET开始导通。在Vth之下，MOSFET处于截止状态，导通电流非常小。2. 开启电压（Turn-On 

碳化硅（Silicon Carbide，简称SiC）是一种广泛应用于半导体、电力电子器件和耐高温材料的材料。以下是碳化硅的特性和发展历史的简要概述：特性：1. 高温特性：碳化硅可以在高温下运行，具有更好的热传导性和高温稳定性，可达到1500°C以上的工作温度。2. 高电子迁移率：碳化硅具有较高的电子迁移率，可以实现高速、高功率的电子器件设计。3. 高

PN通常指的是正负“正极-负极”结构，即正极（P区）和负极（N区）之间的结构

搭载了联发科最新型号的旗舰芯天玑9200+，其iQOO Neo8 Pro 1TB版本正式开售，并在5月安卓手机性能榜中力压群雄登顶第一，为用户提供了大内存高性能的旗舰体验。 但这应该只是今年旗舰机发力的开始，据传闻年底继天玑9200+后联发科还将重磅推出旗舰芯天玑9300，该芯会主打“全大核”CPU架构，不仅性能方面可以跟A17碰一碰，就连功耗也能降低50%以上，可以

TVS瞬态抑制二极管，玻璃钝化与OJ酸洗工艺的差异？ 1. 玻璃钝化和酸洗OJ工艺两者都是用于保护TVS PN结表面不受氧化和腐蚀的工艺。 2. TVS瞬态抑制二极管通常由硅材料制成，这是因为硅材料具有许多优点，如具有较低的测量电流和较高的耐压能力。它们可以通过改变材料的掺杂浓度来调节电压阈值。 3. 玻璃钝化是一种在硅表面形成一层玻璃薄膜的工艺，目的是隔绝硅表面和外界空气中的氧气，防止氧化

ＣＭＳ：Camera　Monitor　System 汽车电子后视镜是指在汽车后视镜上加入电子设备，通过摄像头和显示屏来代替传统的平面后视镜，实现更广角的视野和高清的图像显示。GB+15084

日前，在2023中关村论坛“北京（国际）第三代半导体创新发展论坛”上，科学技术部党组成员、副部长相里斌表示，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体具有优异性能，在信息通信、轨道交通、智能电网、新能源汽车等领域有巨大市场。     “总体上看，‘十三五’期间已经基本解决我国第三代半导体产品和相关装备的‘有无’问题，‘十四五’期间将重点解决‘能用、好用’以及可持续创新能力的问题。”相里斌表示，科技部将聚焦关键核心技术和重大应用方向，重点突破材料、器件、工艺和装备技术瓶颈。     经过多年努力，全球第三代半导体产业正进入快速增长期。国际半导体照明联盟主席、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导委员会主任曹健林表示：“以第三代半导体为代表的宽禁带半导体，广泛应用于符合‘双碳’目标的新能源、交通制造产业升级以及光电应用场景，已成为推动诸多产业创新升级的重要引擎。”曹健林分析认为，我国发展第三代半导体已经具备技术突破和产业协同发展的基础。与半导体相关的精密制造水平和配套能力快速提升，为相关装备国产化打下坚实基础。     中国工程院院士、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇举例说，基于第三代半导体材料和器件将引领高端电力装备的颠覆性创新应用，推动传统电网向半导体电网发展。     新一代信息技术与工业化深度融合加快，为集成电路产业发展创造巨大空间。如北京市顺义区已初步形成从装备到材料、芯片、模组、封装检测及下游应用的产业链布局，集聚了泰科天润、国联万众、瑞能半导体等产业链上下游企业20余家。论坛上，国联万众碳化硅功率芯片二期等6个产业项目签约，预计总投资近18亿元。     第三代半导体产业也面临不少“成长中的烦恼”。比如，原始创新和面向应用的基础研究能力较弱，关键装备和原材料依然高度依赖进口，产业链、供应链安全依然存在风险，缺乏开放、链条完整、装备条件先进的第三代半导体研发中试平台，产业生态尚未建立等。     为此，第三代半导体产业技术创新战略联盟等联合发布倡议，聚焦重点市场需求，在新能源汽车、光伏储能、新型显示等领域推广应用基于第三代半导体材料的“绿色芯”“健康芯”；聚焦产业链协同创新，共同组建创新联合体，强化公共技术服务能力和标准化能力建设，形成产学研紧密合作、上下游链条打通、大中小企业共生发展的协同创新局面。     第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲认为，一方面需要推动示范应用，打通产业链条，提高产品竞争力和产业引领力；另一方面需要集聚创新要素，积极推动国际科技交流与合作，重点加强与具备成熟技术的中小企业和研发团队的深度合作。