新闻&资源

时刻与您分享我们的一点一滴

企业新闻行业资讯产品知识资料下载

新闻&资源

时刻与您分享我们的一点一滴

深化产学研融合：上海工程技术大学师生走进音特电子，共探材料科学新应用

深化产教融合，打破高校理论教学与企业实际应用之间的围墙，让未来的工程师们零距离接触电子元器件行业的前沿技术

Rapidus CEO 2027年实现2nm单晶圆梦想

Rapidus首席执行官小池辰吉(Atsuyoshi Koike)在布鲁塞尔接受《电子时报》(EE Times)独家采访时表示，Rapidus将得到日本《芯片法案》(CHIPS Act)和IBM的推动，启动日本唯一一家制造世界上最先进硅的半导体代工厂，仅比行业巨头台积电(TSMC)落后两年。小池和他的100多人团队正在接受一生一次的挑战。小池是芯片行业的资深人士，最近曾在西部数据(West

RISC-V设计在兼容的情况下能走多远?

RISC-V设计在兼容的情况下能走多远? 答案并不总是黑白分明的，因为RISC-V的概念与以前的开源项目非常不同。但是，随着对RISC-V的兴趣和活动的持续增长，正在进行建设性的讨论，以解决设计开放标准ISA的一些挑战。 RISC-V国际的首席技术官Mark Himelstein说:“RISC-V标准是实现兼容的。“然而，我们通常不会使用‘兼

清华大学教授魏少军：中国要重新理解半导体产业全球化，维护全球供应链完整性

6月17日，由芯谋研究承办的第二届中国·南沙国际集成电路产业论坛（2023 IC NANSHA）在广州南沙开幕。《每日经济新闻》记者现场了解到，清华大学集成电路学院教授魏少军出席论坛并发表了 “半导体产业的再全球化”主旨讲话。魏少军提到，逆全球化思潮下，当前中国半导体产业面临较严峻挑战。他指出，过去十多年来，我们认为中国的芯片制造发展较快，但实际

等离子体形成的基本原理？

等离子体形成的基本原理涉及到物质被加热至足够高温度以使其电离，将电子从原子或分子中解离出来形成自由电子和带正电的离子。以下是等离子体形成的主要步骤： 1. 加热：物质被加热到足够高的温度。高温可以通过电击、高能光或热能等形式提供。 2. 离子化：高温使物质的原子或分子获得足够的能量，引发电离现象。在这个过程中，束缚在原子或分子中的电子被解离出来，形成自由电子和带正电的离子。 3. 电中性：在

N型SIC和P型SIC的欧姆接触的基本原理？

N型碳化硅和P型碳化硅的欧姆接触的基本原理是通过合适的金属材料与碳化硅材料之间的电子转移来建立接触电阻尽可能小的电气连接。对于N型碳化硅，其导电性主要由额外的自由电子贡献。当金属与N型碳化硅接触时，金属中的自由电子可以轻易地进入N型碳化硅中，形成电子注入，使碳化硅形成具有低电阻的接触。对于P型碳化硅，其导电性主要由空穴贡献。当金属与P型碳化硅接触时，金属中的自由电子与P型碳化硅

单极型功率二极管和双极型功率二极管差异？

单极型功率二极管和双极型功率二极管之间的主要差异在于其不同的结构和工作原理主要应用方面，单极型功率二极管通常用于开关电源、逆变器等高频应用中，而双极型功率二极管则主要用于电力电子应用中的整流、驱动和保护电路等。在器件的优值系数方面，单极型功率二极管通常具有较低的开通电压降和较快的开关速度，适用于高频应用。双极型功率二极管则往往具有较高的反向耐压和较大的电流承受能力，适用于大功率应用

太阳能逆变器的快恢复二极管的用途？使用注意事项？

快恢复二极管（Fast Recovery Diode，简称FRD）在太阳能逆变器中的主要作用是用于电流的反向导通和防止电压反射。快恢复二极管的使用注意事项如下：1. 逆变器设计时需要选择合适的快恢复二极管，确保其额定电流和电压等参数符合逆变器的工作要求。2. 确保快恢复二极管正常的散热条件，在高温环境下需要进行合理的散热措施，以防止过热导致失效。3.&nbs

功率MOSFET在光伏优化器的失效模式？

MOSFET在光伏优化器中可能出现的失效模式包括以下几种：1. 功率MOSFET过热：如果功率MOSFET长时间工作在高负载下，可能会导致器件温度过高，超过其额定温度范围，从而失效。2. 粗糙开关：当功率MOSFET开关频率较高时，可能会出现开关过程中由于器件内部电荷积累的不足而导致的电流间断或闪烁现象，这称为粗糙开关。长时间的粗糙开关操作可能导致MOSFET失效。3.&nbs

什么是碳化硅的离子注入？选择性掺杂技术又是讲什么？

碳化硅的离子注入是一种技术，用于在碳化硅材料中引入特定的杂质原子。离子注入通常通过高能离子束将所需的掺杂物注入到碳化硅晶体中。离子注入过程包括以下步骤：1. 选择要注入的目标杂质原子，通常是硼（B）、氮（N）或磷（P）等。2. 准备碳化硅衬底和膜层，以便承载和保护离子注入过程。3. 使用离子注入机将高能离子束引入碳化硅材料。离子束会穿过膜层并注入到碳化硅晶体中。4.&

总计 312 1 2...17 18 192021 22 23...34 35